GD32F3开发进阶教程—— 习题及答案 电子 【ch04】读写SRAM实验

第四章读写实验SRAM

一、简述存储器的分类存储器的主要分类

1.根据存储介质，可分为半导体存储器、磁表面存储器和光存储器

2.根据存储器的读写功能，可以分为只读存储器（ROM）和随机读写存储器（RAM）

3.根据信息的可保存性，可以分为非永久记忆和永久记忆

4、按在计算机系统中的作用可分为主存储器（内存）、辅助存储器（外部存储器）、缓冲存储器

5.按功能/容量/速度/位置可分为寄存器、缓存、内存和外存

6.工作性质/存取方式可分为随机存取存储器、顺序存取存储器、直接存取存储器和联想存储器

二、简述微控制器读写内部的过程SRAMSRAM的基本存储单元有3种状态standby（空闲）、reading（读）和writing（写）

1.读操作假设该基本存储单元中存储的数据为1,即Q=“1，/Q二“0”在读周期开始之前，通过预充电电路，将两根位线的电平充电到逻辑“1”，预充电的电路结构如下（由三个PMOS管组成）

2.写操作在写周期之前，需要把要写入的状态加载到位线如需要写入数据0,则设置BL二“0”，/BL=“1o随后将字线WL置为高电平，M5和M6晶体管导通，位线的状态被写入带基本存储单元中

三、简述微控制器读写外部的过程，与读写内部的区别SRAM SRAM首先要定义SRAM的基地址，其次定义指针，操作单字节数据u8*p;p=（u8*）SRAM_BASE_ADDR;〃把数据SRAM_BASE_ADDR强制转换成指针*p=OxAB;〃向0x68000000地址写入OxABo在STM32的SRAM不足时，我们第一时间会想到使用外部SRAM扩展SRAM外部的SRAM读取速度显然会比内部SRAM低。