模拟集成CMOS考试题

、与其它类型的晶体管相比，器件的尺寸很容易按—比例—缩小，电路被证明具有一较低—1MOS CMOS的制造成本、放大应用时，通常使管工作在一饱和区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义—跨导—来表示2MOS电压转换电流的能力、入为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，入值—较小（较大、较小）

3、源跟随器主要应用是起到—电压缓冲器—的作用

4、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是—输出阻抗.很高，因此可以做成—恒定电流源

5、由于一尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称一等因素，共模输入电平的变化会引起差动输出6的改变、理想情况下，_电流镜一结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制沟7长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为一共源共栅电流镜—结构、为方便求解，在一定条件下可用一极点一结点关联—法估算系统的极点频率

8、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容为（）9Cm_CF1—ACF、人为沟长调制效应系数，入值与沟道长度成—反比_（正比、反比）10二.名词解释（每题分，共分）

315、阱1解在工艺中，管与管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬CMOS PMOS NMOS底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱、亚阈值导电效应2解实际上，时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当时，也并VGS=VTH VGSWTHID非是无限小，而是与呈指数关系，这种效应叫亚阈值导电效应VGS、沟道长度调制3解当栅与漏之间的电压增大时，实际的反型沟道长度逐渐减小，也就是说，实际上是的函数，L VDS这种效应称为沟道长度调制、等效跨导4GmOr解对于某种具体的电路结构，定义—为电路的等效跨导，来表示输入电压转换成输出电流的能力叫、米勒定理5解如果将图的电路转换成图的电路，则其中这a bZi=Z/l-Av,Z=Z/1-AV,,AV=VY/VX°2种现象可总结为米勒定理僚Ibi、阱6N解工艺中，管与管必须做在同一衬底上，若衬底为型，则管要做在一个CMOS PMOSNMOS PPMOSN型的“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的型“局部衬底”叫做阱N N、有源电流镜7解像有源器件一样用来处理信号的电流镜结构叫做有源电流镜、输出摆幅8解:输出电压最大值与最小值之间的差三.画图题每题分，共分

816、以作为参数画出晶体管的曲线1VDS NMOSID〜VGS要求国三条曲线，的值分别为其中有适当的分析推导过1VDS VDSI、VDS2VDS3，VDSIVDS2〈VDS3；程，并标出曲线中关键转折点的坐标画两条曲线，的值分别为；标出曲线中关键转折点的坐标2VDS VBS=、V BS0解⑴VV^I=0GS THD1w〃〃班^TH V VGS VV「H+，/o=]~~T KGS-^TH，/.=〃工[VGSV.H+Qx VGS-VTH%s-]VDS]、画出差动对的输入输出特性曲线（）2AlD~AVin要求（）标出曲线中关键转折点和极限点的坐标；1（）由图分析通过什么措施可以使差动对的线性度更好2解AK=——C—其中，VL，增大ISS或减小W/L,可使电路的线性更好1四.简答（（每题分，共分））

721、器件即使没有传输电流也可能导通”，这种说法正确么？为什么？1“MOS解正确当VV2（UGS-V“）时，器件工作在深线性区，此时虽然足够的VGS可以满足器件的导通条件，但是很小，以至于没有传输电流VDS、什么是体效应？体效应会对电路产生什么影响？2解理想情况下是假设晶体管的衬底和源是短接的，实际上两者并不一定电位相同，当变得更负时,VB增加，这种效应叫做体效应体效应会改变晶体管的阈值电压VTH、带有源极负反馈的共源极放大电路相对于基本共源极电路有什么优点3解由带有源极负反馈的共源极放大电路的等效跨导表达式〃火得，若，则，所以1+g SRs»l/gm Gmg1/Rs漏电流是输入电压的线性函数所以相对于基本共源极电路，带有源极负反馈的共源极放大电路具有更好的线性在传输电流为零的情况下，器件也可能导通么？说明理由

4.MOS解可能当（一匕）时，器件工作在深线性区，此时虽然足够的可以满足器件的导Vos2057/VGS通条件，但是很小，以至于没有传输电流VDS五.分析计算题（共分）34（下列题目中使用教材表所列的器件数据，所有器件尺寸都是有效值，单位均为微米）

2.

1、（分）假设入=丫=计算图示电路的小信号增益（表达式）170,、分差动电路如图所示,29Iss=lmA,V DD=3V,W/Lb2=W/L3,4=50/

0.5o假设丫求差动电压增益；1=0,丫=独寸，如果上的压降至少为求最小的允许输入共模电平

20.45V-Iss

0.4V,解1Io=

0.5mA,gmN=

3.66X10，roN=2x10‘Q,rop=104^,Av=-g mNroN IIrop=-

24.42V=+yJ|2^+V%|-=0・7+0・45J|0・9+

0.4|-=

0.786VraV SI=

0.786+

0.27=

1.056V,GVin,CM=

1.056+

0.4=

1.456V、分加到栅极的输入共模电平39W/LN=10/

0.5,W/LP=10/

0.5,IREF=100UA,VDD=3V,MI、M2等于

1.5Vo（）分别计算流过晶体管、、的电流;1M3MM5MM746（）假设入分别计算丫和丫时点电位2=0,=0=

0.45V/PM%3P解口113=14=5011A,15=16=200A,1=500u A72y=0V=

0.368VP丫；；=

0.45V/VTHIVP=

0.368V=

0.78V,V Pi=

0.288VV TH2V PI=

0.288V=

0.764V,V P2=

0.304=

0.766V,VP4=

0.

0.302V；；V TH3VP2=

0.304V=

0.767V,V P3=

0.301V TH4V P3=

0.301V=

0.766V,V P4=

0.302VTH5V P4=

0.302V、（分）画出下图共源极高频模型的小信号等效电路，并利用小信号模型精确推导系统的极点频率49i叱------------------------------------------------------------i12——解,[C G.S+1+C GZ]+CGD+C DB1+Sm^DC GD+C GS+GD+DBR$RD CGSCGD+CGSCDB+CGDCDB。