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模拟电子技术试题汇编2010-9成都理工高校工程技术学院电子技术根底教研室正偏导通q=
26.2VD（）仅偏截止b D二0°X
0、如下图，设硅稳压管、的稳压值分别为%=10V4Vg v6VDZ2和，求为多少？（共分）9V3答（、（分）图示电路中二极管为志向二极管，请/=9-6=3V530推断它是否导通，并求出UoUo丫吟一.k--3V3D导通，U.=-3V
6、推断下列电路能否放大电压信号（设图中全部电容对沟通信号视为短路）（9分）都不能放大电压信号（a）输入沟通短路无直流基极偏压输入沟通短路、如下图，设硅稳压管Vg、%Z2的稳压值分别为6V和9V，稳压管的7正向压降为
0.7V，试写出输出电压为多少？共8分a°=15V5=o,7vb
8、设二极管志向化，试推断下列各图二极管是否导通CU=
6.7V do还是截止？并求出？导通截止aD=-6V bD u0=-nv导通已截止先导通截u°=0V c2d4Au°=0V u03V第二章放大电路原理-、填空题
1、放大电路的三种根本组态中，一些重组态带负载实力强，_共基组态频率响应好，去射组态有倒相作用，共重组态向信号源索取的电流小、多级放大电路的对数增益等于其各级对数增益的—独
23、放大电路的三种组态是其射、共基、共集
4、影响放大电路工作点稳定的主要缘由是温度变更
5、三极管共集组态的放大电路具有输入电阻高、输出电阻低的特点
6、放大电路最常用的根本分析方法，就是图解法和一微变等效电路法
7、共集电板放大电路又称为射极输出器或射随器
8、多级放大电路常用的耦合方式有三种即阻容耦合、干脆耦合、变压器耦合
9、放大电路的三种根本组态中，也组态既具有电压放大实力又具有电流放大实力，共集只具有电流放大实力，共基组态只具有电压放大实力
10、放大的本质首先是实现能量的限制；所谓放大作用，其放大的对象是_变更量°11产生零点漂移的主要缘由是放大器件的参数受逼度的影响而发生波动，导致放大电路的静态工作点不稳定
12、输出电压分开零点，缓慢地发生不规则的变更，这种现象称为矍点漂移
二、选择题
1、关于放大电路中的静态工作点（简称Q点），下列说法中不正确的是（D）A•Q点过高会产生饱和失真B-Q点过低会产生截止失真C导致Q点不稳定的主要缘由是温度变更D•Q点可采纳微变等效电路•法求得
2、双极型三极管放大电路中，输入电阻最大的是电路A•共放射板B-共集电极C・共基板D不能确定•
3、晶体管放大电路中，高频特性最好的电路是（D）A.共射电路B.共集电路C.共源电路D.共基电路
4、有两个放大倍数（电路一样，采纳同一晶体管）一样，输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进展放大，在负载开路的条件下测得A的输出电压小，这说明A的（B）A输入电阻大B输入电阻小C输出电阻大D输出电阻小••••
5、多极放大电路的增益A“是（B）、输入电阻均是（A）、输出电阻尺是（C）A由第一级确定B.由各级共同确定C.由末级电路确定•
6、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3K的负载电阻的输出电压降为3V-这说明放大电路的输出电阻为（C）A-10K B-2KC1K D
0.5K
7、放大电路产生零点漂移的主要缘由是（A）A•环境温度变更引起参数变更B•放大倍数太大C•晶体管的噪声太大D•外界存在干扰源
8、在多级放大电路常见的三种耦合方式中选择适宜者（本题可多选）
（1）要求各级静态工作点互不影响可选用（）•
（2）要求能放大直流信号，可选用（B）
（3）要求能放大高频沟通信号，可选用（）
（4）要求电路的温漂小，可选用（）
（5）为了实现阻抗交换，使信号及负载间有较好的耦合，应采纳（C）A,阻容耦合B,干脆耦合C,变压器耦B.只能分析动态参数
9、用微变等效电路法分析放大电路（B口A・只能分析静态工作点B.只能分析动态参数）既可分析静态，也能分析动态、在下列电路中输入电c-10阻最大的电路是既能放大电B;流，又能放大电压的电路是C A•共基放大电路B•共集放大电路C-共射放大电路
11、对于根本共射放大电路，如下图，试推断某一参数变更时放大电路动态性能的变更状况，选择正确答案填入空格1%减小时，输入电阻鸟2Rc增大时，输出电阻时3信号源内阻增大时，输入电阻Rj4信号源远内阻心减小时电压放大倍数•5负载电阻此增大时，电压放大倍数；6负载电阻七减小时，输出电阻;7若减小，则静态的〃将，UCEQ将电压放大倍数将⑻若换一个值较小的晶体管，则静态的〃将£⑼此增大时，UcEQ将10He增大时，将UCEQ11Hs增大时,将UCEO12Rj曾大时4EQ将•A.增大B.减小C.不变
12、由晶体管组成的根本放大电路，如图输出电压波形出现了顶部削平的失真，则1这种失真是A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真2为了消退这种失真，应A减小集电极电阻RcB.改换夕小的管子C.•增大基板偏置电阻D减小基板偏置电阻，E.减小电源电压V”•
13、由晶体管组成的根本放大电路，如图电压波形出现了顶部削平的失真:则1这种失真是A.饱和失真B.截止失真C交越失真D频率失真2为了消退这种失真，应，B，A减小集电极电阻RcB.改换夕小的管•子C增大基板偏置电阻D.减小基板偏置电阻E.减小电源电压
14、如下图，选择正确答案填空1要使静态工作电流人减小，则必应2加在适当范围内增大，则A“，，R.3R,在适当范围内增大，则为，耳，此4从输出端开路-到接上七，静态工作点将，U，设静态工作点偏低5减小时，直流负载线斜率6/减小时，直流负载线斜率A.增大B.减小C.不变
（7）若k=10V,%，%，%二，凡、g足够大，设=4=
63.3=
2.,KQ KQ KQKQC=S7V则
①0，管压降U大约是（A•4V B-
4.7V C7V D5V）CE
②使管子即由50改为100则是“|A（A.约为原来的2倍B.约为原来的万C.根本不变D约为原来的4倍）
③保持夕二不变，将（由改为，则为_
503.
36.6KQ£（A约为原来的2倍B约为原来的5C根本不变D约为原来的4倍E约为原来的I）
15、两级放大电路40•50，A AH1II2若输入电压,=5mV,则输出电压〃为
三、推断题A--200250C.10VD.100V
1、试推断图示各电路能否放大沟通电压信号（能放大的V不能正常放•大的画X）
2、测得某些电路中几个三极管各极的电位如下图所示，试推断各三极管晶体管分别工作在截止区、放大区还是饱和区放大截止饱和
3、推断三极管的工作状态放大、截止、饱和6分a放大b截止
4、推断图示电路是否有信号放大作用用4，〃x〃表示每图3分，共12分a xbxc x、推断下列电路能否放大电压信号设图中全部电dxe xfV5容对沟通信号a V视为短路a Vb cx6分1与人\凡2展+x⑵与%%[展+1+夕]
7、推断下列说法是否正确，对的画V，错误的画x1晶体管的输入电阻限是一个动态电阻，故它及静态工作点无关X2在根本共射放大电路中为得到较高的输入电阻，在固定不变的条件•下，晶体管的电流放大系数夕应当尽可能大些X3在根本共射放大电路中，若晶体管的夕增大一倍，则电压放大倍数也相应增大一倍V4对于基板分压式工作点稳定电路来说，其电压放大倍数也随月的增大成正比的增大x5共集放大电路的电压放大倍数是小于1，故不能用来实现功率放大x6共射放大电路既能放大电压也能放大电流V•7共集放大电路可放大电压，但不能放大电流x8共基放大电路只能放大电流，但不能放大电压x分析题
1、试指出下图中电路的错误并画出正确的电路图中晶体管类型不允许•变更有三个错误电源极性错1:极性错2:CW23:凡位置接错
2、分析下图有何错误应如何改正才能使电压正常放大，画出更改后的电路，要求所用的晶体管不变以及其他元件不增减有三个错凡位置接错1位置接错2G位置接错第一章半导体器件3-、填空题
1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是士±-少数载流子应是空穴
2、在N型半导体中，电子浓度大于空穴浓度，而在P型半导体中电子•浓度小于空穴浓度
3、结反向偏置时，空间电荷区将变宽
4、双板型三极管输出特性的三个区域分别是烟区、放大区、截止区°
5、场效应管分为两大类一类称为一结型场效应管，另一类称为绝缘栅场效应管
6、结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区，这种接法称为反向接法或—反向偏置
7、半导体二极管的根本特性是单向导电性，在电路中可以起整流和检波等作用
8、双极型半导体三极管按构造可分为型和型两种，它们的符号分别为和
9、结中进展着两种载流子的运动多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动
10、硅二极管的死区电压约为
0.5，楮二极管的死区电压约为
0.
13、分析下图能否对IKHz的正弦电压进展线性放大，如不能指出错在哪里，并进展改正，要求不增减元件，且电压放大倍数肯定值要大于11“0无直流成分答不能正常放大错误有（l）G位置接错
（2）G位置接错
（3）、极性接反（）若要；，则不能从射板输出G G441且％无直流成分|4|=,、有两个放大电路如下图所示，向各是什么组态？（共射，共基，共4集）若晶体管都工作在放大区，输入端均加上正弦小信号电压，请问图中所示的输出波形是否正确？若有错误，应如何改正？设电容都很大均为共基组态波形有错（）图°波形应及切波形一样a（）图°波形应无直流重量
五、计算题b
1、在下图的放大电路中，设二板管的夕=30，u=
0.7V，a二1kQ%10BEQkQ R=50KQ R
1.3kQ R耳5ZQ V12Vh2e cc0
（1）试估算静态时的I CO、；（5分）/B LEO
（2）设电容G、Q和Q均足够大，试估算放大电路的中频电压放大倍数就.；（5分）
（3）估算放大电路的输入电阻和输出电阻R“；（5分）4假如去掉旁路电容,写出此时放大电路的中频电压放大倍数就G“和输入电阻与和输出电阻凡的表达式可不计算出详细数值5分123断开有电流串联负反应，下降，增加，凡不变；40R,220分图示电路中，已知
0.7V,p=100，”,=374，户5k-2=15kQ，
2.3kQ3kQ12V1估算电路的静态工作点、、2画出微变等效电路计算电压放大倍数•彳、输入电阻、输出电阻3若信号源内阻为IkQ时,求人=%/八的数值〃_RBI,5x]2r-31BQ~^^=^=3V
1.663-50=-
31.2F+
1.66+Ri图略展彳幻2374+1+100=31画出直流通路和微变等效电路6分2设=o・7v求静态工作点/砥、4分3求、、，设£=30-r.•4EQ R,h=196分4Q
（4）i、忽视不计，估算最大不失真输出电压峰值力,”（4分）UCE0CES（总共20分）解
（1）图略氏2T720U_UBEQ4—
0.
7.TT2BQUR=V=x20=4V,I b1-=\mABQ R+R cc20+80CQ R533rc cnFC-}2EQ
（4）不饱和失真u=uom=%—/°氏U20—lxl+10+
3.3=5・7VCE03++=
（4）不饱和失真u=u=5JVom CEQ不截止失真U=I〃七=1X10//10=5VCQorn最大不是真输出电压峰值u5=5Vn
34、如图所示电路中，已知三极管T为硅管^,=
33700.77,3=50;i=51KQ,2=15K,1KQ,2KQ,2KQ12V（共18分）试求
（1）静态工作点Q（）
（2）电压放大倍数二？输入电阻二？输出电阻二？解（）
125、电路如下图（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时二U--
00.7V利用图解法分别求出=8和=3kQ时的静态工作点和最大不失V-UBB BEO1-
0.2躺Iffi电压丸（努15春［03=20wAi=0,u=12VCFR=做直流负载线=0,L=U=4mA00,=12-z x3UL CE
6.依据图示放大电路及晶体管的输出特性曲举%奏」疗）3R=这时^R=3KQ,CO L23//3=3VU=L OM
（1）图解法静态工作点Q（Q、/）°（设/时=40夕50）（6分）（9分）
（2）画出微变等效电路，估算放大器的动态参数、鸟、（（设（9分）ic/mA80uA
4.8解:60uAf I=40wA相交Q点，得=U^u=nvceqBQ40uA
2.42/,=R，％展=IKQ20uA
7、如下图，G~G足够大，L2二13=60340-厂协Q
（1）画出直流通路和微变等效电路24
（2）求静态工作点/加、0（4UCE/V分）
（3）求输入、输出电阻与、（及电压放大倍数片各自的表达式（4分）（总共12分）⑴略
（2）/%（1+）（R）+丫眸=%B RC+/+2（）3Rj R]rhe023，%HbQ+r1EQhb8•电路如下图所示，晶体管的0二100•=1000•5=
0.7V（共20分）
（1）画直流通路和微变等效电路（6分）
（2）求电路的Q点、、和；（9分）
（3）若电容开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变更？如何变更？（5分）⑵（）2V/1=12-15+
1.3=
5.7vCQ（）^=100+1+100y=
2.7ko
47.64Q R”凡2［%+（1+/）勺］=
3.66k「5kQ⑶开路下降，上升，发不变R°R•vz9•如图所示的放大电路（10分）
（1）写出％“输出，〃2输出时，电路的电压放大倍数
4、心的表达式
（2）依据输入波形，当心=/^时画出％”、％）2的波形°.如下图Vn的g,”=lQ Vn的夕=10°,r=,试估算
（1）he%,的值；
（2）R,;
（3）/（（21到C4足够大）.如下图，求
（1）先接在断开）时就，）接在点时（（2BA;VT的I—设〃,=，夕=100，并求这时的K，%C足够大
（1）=-100
（2）=〃［展+a+/）41a iom
12.如下图
（1）推导出饱和条件（及电路参数关系式）2若七二120Ko，.=2KQ，4=100，曝=
0.7V,试问电路工作在什么状态放大，饱和，截止3应如何变更电路参数，使之脱离上述工作状态？管放射结正偏，要使集电结也正偏，必需，即，凡NV”1U BEQ=0-7V,UBENUCE一例抵得凡工分时为饱和条件2=120KQS0Rc二100X2KQ二200Ko此时电路工作在饱和状态3为了脱离饱和状态，有三个方法
①0，勺不变，R〉200KOh
②凡,0不变,凡＜L2KQ
③凡,此不变，换管子使，＜
6011、晶体管穿透电流/‘EQ是反向饱和电流/小的1+B倍，在选用晶体管的时候，一般盼望人8尽量小、场效应管实现放大g12m作用的重要参数是跨
13、结具有单向导电特性
14、双极型三极管有两个结，分别是集电结和一放射结
15、为了保证三极管工作在放大区，应使放射结眄偏置，集电路叵回偏置16场效应管是里延限制型元件而双极型三极管是里途限制型元件
17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是逐，少数载流子£应是电子
18、P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是电5°
19、结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区，这种接法称为正向接法或_正向偏置
20、从双极型三板管内部三个区引出三个电极-分别是_集电极、放射极和基极°
21、双极型三极管起放大作用的外部条件是
（1）放射结外加一正向电压；
（2）集电结外加叵向电压
22、N型半导体可用正离子和等量的负电工来简化表示
23、结正向偏置时，空间电荷区将变津
24、二极管的两个电极分别称为胆极和阳极，二极管的符号是
25、当温度上升时，三极管的输入特性曲线会左移，输出特性曲线会±移，而且输出特性曲线之间的间隔将蛆
26、影响双极型三极管参数变更的主要因素是温度
27、P型半导体可用一鱼离子和等量的空宏来简化表示
28、主要半导体材料是硅和错;两种载流子是空穴和电子；两种杂■■质半导体是型和矍
29、二极管外加正向电压导通，外加电向电压截止
30、当温度上升时，三极管的参数0会变大，/8会增加-导通电压会变小、双极型三极管有两种载流子导电，即多数载流子和—少数载流子导电，31而单极型三极管只有一种载流子导电，即多数载流子导电
32、N型半导体的多数载流子是电子少数载流子是空穴•
33、某晶体管的极限参数，若它的工作电=150mW/=100/M-U=30V°CM BRCEO压则工作电流不得超过至阿；若工作电压，则工作电U=10V4U=IVCECE流不得超过J25m；若工作电流，c=泊，则工作电压不得超过四丫1134放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为匕=-9V•-
6.2V，v=B忆=-6V，则该三极管是型三极管，A为集电极B为基极，C为放射极•
35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是夕
36、场效应管输出特性的三个区域分别是恒流区、可变电阻区、夹断
37、纯洁的、不含其他杂质的半导体称为本征半导体
38、场效应管及晶体管比拟，—场效应管的热稳定好，输入电阻高，—晶体管的放大实力强
39、双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是放射区、基区和集电
二、选择题
1、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（B）时处于正偏导通状态A-0B死区电压C,反向击穿电压D正向压降••
2、杂质半导体中（A）的浓度对温度敏感A少子B・多子C杂质离子D空穴•••
3、晶体管的集电结反向偏置、放射结正向偏置，它的工作状态是（B），若集电结和放射结都反向偏置，它的工作状态是（A），若集电结和放射结均正向偏置，则它的工作状态是（C）A・截止B放大C・饱和D损毁••
4、当晶体管工作在放大区时，放射结电压和集电结电压应为（B））两种载流子BA•前者反偏、后者也反偏B•前者正偏、后者反偏）的流淌AC•前者正偏、后者也正偏D•前者反偏、后者也正偏
5、双极型晶体管工作时有（A）和（参及导电,B）两种载流子而场效应管所导电过程仅仅取决于（）的流淌AA-多子B-少子C•自由电子D.空穴
6、当型晶体管工作在放大区时，各板电位关系为A）4（A）3°、对二极管正向电阻和反向电阻诉的要求是（）A-B•C-=D•7G CA,%%都大B•-z“都小C•%很小F很大D•%大F小
8、稳压二极管动态电阻（B），稳压性能愈好GA愈大B•愈小C•为随意值
9、三极管当放射结和集电结都正偏时工作于•（）状态CA放大B・截止C•饱和D•无法确定10•结型场效应管放大电路的偏置•方式是（、）A DA-自给偏压电路B•外加偏压电路C-无须偏置电路D•栅极分压及源极自偏结合
11、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（A），而少数载流子的浓度及（B）有很大关系A・温度B掺杂工艺C•杂质浓度D-晶体管缺陷
12、场效应管属于（B）•限制型器件，而晶体管若用简化h参数来分析，则可认为是（）限制型器件C
13、当节外加反向电压时，扩散电流（B）漂移电流耗尽层（D）A•大于B・小于C等于D变宽E变窄F不变
14、当温度上升时二极管••••正向特性和反向特性曲线分别（D）A,左移1下移B,右移,上移C,左移,上移D,右移,下移
15、结加正向电压时导通，此时空间电荷区将（A）°A变窄B根本不••变C-变宽D.先变窄，后变宽
16、在25（时，某二极管的死区电压*
0.5V，反向饱和电流a
0.1，则在35（时下列哪组数据可能正确（D）•A-
0.575V，-
0.05B-
0.575V，~
0.2C475V，*
0.05D-
0.475V，~
0.
20.B
17、用万用表推断放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（或）及三个电极时，最为便利的测试方法为（）B测试各板间电阻测试各板间、对地电压A•B•测试各极电流
三、推断题C-1三板管在工作频率大于最高工作频率为时会损坏（x）
2、稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域（x）
3、及三极管放大电路相比■场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点（V）
4、P型半导体可通过在纯洁半导体中掺入五价磷元素而获得（）、有人测得晶体管在时，〃二，因此认为在此x554A4=
0.6VE工作点上的演大约为（V）
6、通常结型场效应管在漏板和源板互换运用时，仍有正常的放大作用（，）
7、通常的双极型晶体管在集电极和放射板互换运用时，仍有较大的电流放大作用（x）
8、在N型半导体中才参入高浓度的三阶杂质可以改型为P型半导体（）、型半导体带正电，型半导体带负电（）V9P Nx
10、结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的（/）n、漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的（v）
12、由于结交界面两边存在电位差，所以当把结两端短路时，就有电流流过（x）
13、结方程可以描绘结的正向特性和反向特性，也可以描绘结的反向击穿特性（x）
15、有人测试晶体管的“，方法是通过测得晶体管的然=
0.7，〃=20核，推算出“=U//〃=
0.7V/20加4=35KQ（X）、/四综合题D（Z vZ-L IJ
1、放大电路中测得晶体管各电极电位如下表所示，试将表格填写完好（10分）管脚（各电极）电晶体管晶体管12位3V
3.7V6V-4V-
1.2V-
1.4V电极（e或b或c）e bc cb e或材料（或）8分）管子类型各电极电
21.76-
0.1-
0.3-
30461.
31.
11.2位（）V状态b daC
3、如下图，试确定二极管D是正偏还是反偏？设二极管正偏时的正向压降为
0.7V,试计算和的值（共9分）（）（）a b答案（）a。
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