1+X集成电路理论考试模拟题（附参考答案）

集成电路理论考试模拟题附参考答案1+X

1、通常一个花篮中最多装片晶圆A、15B、20C、25D、30答案C

2、干-湿-干氧化过程中，第一次干氧氧化的目的是oA、形成所需的二氧化硅膜厚度B、获得致密的二氧化硅表面C、提高二氧化硅和光刻胶的黏附性D、改善二氧化硅和硅交界面的性能答案B干-湿-干氧化中，第一次干氧是为了获得致密的Si02表面，从而提高对杂质的阻挡能力干氧氧化和湿氧氧化各有自己的特点，在实际生产中往往将这两种方式结合起来，采用干-湿-干的氧化方式，既保证二氧化硅的厚度及一定的生产效率，又改善了表面的完整性和解决了光刻时的浮胶问题第一次干氧是为了获得致密的二氧化硅表面，从而提高对杂质的阻挡能力湿氧主要用来形成所需的二氧化硅膜的厚度，提高生产效率；第二次干氧，是为了改善二氧化硅和硅交界面的性能，同时使二氧化硅表面干燥，提高二氧化硅和光刻胶的粘附性

3、晶圆烘烤时长一般为分钟A、1B、5C、10D、20答案B晶圆烘烤长一般为5分钟烘烤时间太长会导致墨点开裂，时间太短可能会使墨点不足以抵抗后续封装工艺中的液体冲刷，导致墨点消失

4、料盘外观检查前期，将料盘从中转箱中取出后，将测试合格的料盘放在oA、已检品区B、待检品区C、不合格品区D、工作台任意位置A、从氮气柜中取出花篮B、核对晶圆数量C、核对晶圆批号D、核对晶圆片号E、将花篮放入氮气柜中答案ABCD导片步骤是从氮气柜中取出装有晶圆的花篮和对应的晶圆测试随件单一核对晶圆数量一核对印章批号f核对片号，根据晶圆片号将晶圆放在相应的花篮编号中导片完成后进行上片，不需要再放入氮气柜中

42、表征光刻胶的性能指标包括（）oA、灵敏度B、分辨率C、黏附性D、留膜率答案ABCD表征光刻胶性能指标包括灵敏度、分辨率、黏附性、抗蚀性、留膜率等

43、编带外观检查前需要准备的工具是（）oA、保护带B、放大镜C、防静电铝箔袋D、纸胶带答案ABD

44、将料盘装入防静电铝箔袋时，还需要装（）、干燥剂AB、湿度卡C、海绵D、标签答案AB将干燥剂和湿度卡固定在包装完毕的料盘中央后放入不透明的防静电铝箔袋中

45、LK32Tl02单片机有不同引脚数量的封装形式包括（）A、LQFP-64（64引脚薄型方型扁平式封装）B、TSS0P-30（30引脚薄型小外形封装）C、LQFP-48（48引脚薄型方型扁平式封装）D、LQFP-72（72引脚薄型方型扁平式封装）答案ABC

46、Altium Designer的PCB编辑器是一个规则驱动环境，Altium Designer都会监测每个动作如（）,并检查设计是否仍然完全符合设计规则A、添加元件B、放置导线C、移动元件D、自动布线答案BCD

47、电子产品组装工作是由多种基本技术构成的，如（）A、线材加工处理技术B、焊接技术C、质量检验技术D、调试技术答案ABC

48、在整个烘烤环节会用到的工具有（）A、高温实心花篮B、高温铜质花篮C、常温花篮D、晶圆框架盒答案ABC在烘烤时会用到高温花篮和常温花篮，高温花篮分为高温铜质花篮和高温实心花篮，在烘箱中使用，烘烤完后，要将晶圆从高温花篮转移到常温花篮中晶圆框架盒是在封装工艺晶圆贴膜环节用到的工具

49、探针卡是晶圆测试重要的材料，对测试结果起到重要作用当探针卡使用次数过多会影响扎针测试结果过多使用探针卡的表现有（）、探针针尖变粗AB、探针针尖变细C、探针针尖过短D、探针针尖断裂答案ACD

50、以下属于烘烤环节的步骤的有（）A、用晶圆镶子从常温花篮中夹取晶圆，核对晶圆印章批号B、根据晶圆片号和花篮刻度放到对应的高温花篮中C、用工具将高温花篮放在高温烘箱中D、将烘烤完的晶圆从烘箱中取出答案ABCD烘烤的步骤为将完成打点的晶圆放在预烘烤区，用晶圆镇子从常温花篮中夹取晶圆，核对晶圆的印章批号无误后，根据晶圆片号和花篮刻度放到高温花篮对应的沟槽中，用工具将高温花篮放在高温烘箱中，烘烤完后取出晶圆，核对片数与随件单一致，并用晶圆镒子将晶圆从高温花篮转移到常温花篮中

51、编带外观检查的主要内容有（）A、编带中有无不良品或放反芯片等不合格情况B、编带原材料是否与卷盘不符C、盖带是否有压定位孔或露出底边、起皱、压痕、气泡、脱胶D、载带是否有破裂、沾污、破损答案ACD

52、封装工艺中，晶圆划片机显示区可以进行（）、（）等操作A、给其他操作人员发送消息B、设置参数C、切割道对位D、操作过程中做笔记答案BC

53、花篮可以分为（）A、高温实心花篮B、高温铜质花篮C、高温塑料花篮D、常温花篮答案ABD花篮分为高温花篮和常温花篮，高温花篮有高温铜质花篮和高温实心花篮两种

54、第四道光检主要是针对哪些封装工艺环节的检查？A、切筋成型B、激光打标C、芯片粘接D、塑料封装答案ABD

55、下列选项中，可能会造成晶圆贴膜产生气泡的是（）oA、静电未消除B、贴膜盘温度未到设定值C、晶圆和蓝膜之间存在灰尘颗粒D、覆膜时蓝膜未拉紧答案BC

56、去飞边的工艺方法有o、溶剂去飞边AB、等离子体去飞边C、介质去飞边D、水去飞边答案ACD

57、相较于高温铜质花篮，高温实心花篮有等特点A、质轻B、制造成本高C、花篮本身较重D、制造成本低答案AD

58、下列情况中，需要更换点胶头的有oA、更换银浆类型B、点胶头损坏C、点胶头工作超过2小时D、点胶头堵塞答案ABD

59、IC制造中用的光刻胶一般由组成A、感光剂B、增感剂C、溶剂D、去离子水答案ABC

60、转塔式分选机有2个和A、测试位B、光检位C、旋转纠姿位D、上料位答案BC转塔式分选机进行测试时，需要经过测前光检和测后光检，测前光检和测后光检都会检测芯片的方向，对芯片方向错误的芯片会在下一个旋转纠姿位中进行纠正

61、元器件在印刷板上的分布应尽量均匀，疏密一致，排列整齐美观不允许斜排、立体交叉和重叠排列A、正确B、错误答案A

62、使用并行测试的重力式分选设备进行芯片测试时，只能选择2sites进行测试、正确AB、错误答案B

63、DIP封装和SOP封装的芯片分选结束后，塞上蓝色塞钉即可A、正确B、错误答案BDIP封装的芯片无需编带，只需要塞上蓝色塞钉直接进入外观检查环节；而SOP封装的芯片要进行编带，为使编带上料时方便，不用塞钉，而是用的是红色气泡薄膜，把未塞塞钉的料管那端包裹住即可

64、＜100＞晶向的单晶硅锭有四根或八根对称的棱线、正确AB、错误答案A＜100＞晶向的单晶硅锭有四根或八根对称的棱线

65、金线采用的是98%的高纯度金、正确AB、错误答案B金线采用的是

99.99%的高纯度金

66、晶圆和晶圆盒之间可以直接接触、正确AB、错误答案B晶圆和晶圆盒之间需放一层海绵，防止两者直接接触

67、在进行芯片外观检查前需要佩戴防静电护腕，因为芯片是比较敏感的电路，很容易受到静电的干扰，甚至会被静电击穿而损坏，防静电护腕可以泄放人体内产生的静电，有效地保护芯片（）A、正确B、错误答案A

68、在“管理技术库”对话框中，单击Attach按钮，表明将设计库与技术库相关联、正确AB、错误答案A

69、CMOS集成电路制作工艺中，P阱是用于制作PMOS管的A、正确B、错误答案B

70、作为与加工线之间的接口文件，制版文件主要内容包括芯片的基本信息和工艺层次等、正确AB、错误答案A

71、封装工艺中切筋成型具上的刀片将连筋切断后，成型冲头继续下压，使管脚弯成所需的形状A、正确B、错误答案A

72、PB-OUTEN=OxOOff;中I/O设置为0表示输出；1表示输入、正确AB、错误答案B

73、利用蒸储法可将混合液体加以初步分离和提纯在高纯度硅的生产中采取简单的一次性蒸谯就可以达到高纯度的要求、正确AB、错误答案B在高纯度硅的生产中采取简单的一次性蒸储是达不到要求的，必须经过多次反复地蒸储才能达到要求所谓精微就是在一个设备中连续进行多次、反复蒸播的过程

74、电路符号可以告诉我们电路功能和特性，不能说明内部结构A、正确B、错误答案A

75、项目是每项电子产品设计的基础，在一个项目文件中包括设计中生成的一切文件，比如原理图文件、PCB图文件、各种报表文件及保留在项目中的所有库或模型A、正确B、错误答案A

76、在将原理图信息导入到新的PCB之前，请确保所有与原理图和PCB相关的库都是可用的A、正确B、错误答案A

77、探针测试卡的电路板部分与测试机连接，上部是以金属合金制成的探针，探针通过与晶圆上的焊点接触，从而直接收集晶圆的输入信号或测试输出值、正确AB、错误答案B探针测试卡的电路板部分与测试机连接，下部是以金属合金制成的探针，探针通过与晶圆上的焊点接触，从而直接收集晶圆的输入信号或测试输出值

78、去胶时，无金属表面和有金属表面会进行区分，进而采用不同的去胶方法A、正确B、错误答案A溶剂去胶一般用于去除金属表面的光刻胶（MOS器件除外），氧化剂去胶一般用于去除无金属表面的光刻胶

79、转塔式分选设备通常是测编一体的设备A、正确B、错误答案A

80、热扩散掺杂工艺可以一步实现A、正确B、错误答案B扩散不能一步实现，步骤为进行质量检测一下载工艺清单一开启扩散炉一清洗硅片一预淀积一升高炉温，推进并激活杂质一撤出硅片，测量扩散层的电阻和结深答案B料盘外观检查前期，将料盘从中转箱中取出后，根据随件单核对合格品、不合格品的数量一致后，将合格品和随件单放在工作台的右边，其中不合格品放在工作台下方的不合格品箱中，合格品放在待检区，并且不能超过黄线，这是为了防止检查时进行混合

5、单晶炉中籽晶轴的作用是A、保证炉内温度均匀分布及散热B、带动籽晶上下移动和旋转C、起支撑作用D、提供一个原子重新排列标准答案B籽晶轴的作用是带动籽晶上下移动和旋转；籽晶的作用是提供一个原子重新排列的标准；珀烟外的高纯石墨用蜗托起支撑作用；炉腔可以保证炉内温度均匀分布及散热

6、在cadence软件中可以按先后次序保存个命令在系统中，一旦超出将不会执行、5AB、3C、7D、10答案A、若使用串口助手下载程序到单片机，则需要keil软件生成文件

7、DspAB、CrfC、HexD、Inp答案C

8、利用平移式分选设备进行芯片测试时，设备在测试区完成测试后，会进入环节A、分选B、外观检查C、真空包装D、上料答案A

9、在全自动探针台上进行扎针调试时，若发现探针整体偏移，则对应的处理方式是（）A、利用摇杆微调扎针位置B、相关技术人员手动拨针，使探针移动至相应位置C、更换探针测试卡D、调节扎针深度答案A扎针调试时通过对焦图检查到针印整体偏移，需要用摇杆微调整体的扎针位置

10、电子产品的几何测试的主要用到的工具是（）A、镀层测厚仪B、千分尺C、量规D、以上都是答案D

11、通常情况下，一个编带盘中芯片的数量是（）A、8000B、1000C、2000D、4000答案D

12、扎针测试的步骤是（）A、输入晶圆信息一测试一清零一检查扎针情况（有异常）一异常情况处理一继续测试一记录测试结果B、输入晶圆信息一测试一检查扎针情况（有异常）一异常情况处理一清零一继续测试一记录测试结果C、输入晶圆信息一检查扎针情况（无异常）一测试一清零一继续测试一记录测试结果D、输入晶圆信息一清零一测试一检查扎针情况（无异常）一继续测试一记录测试结果答案D扎针测试时，在界面输入晶圆信息并进行核对，核对信息一致后需要进行清零，清零是为了保证晶圆的零点与检测MAP图上的零点位置一致，防止出现探针未按照设定运行轨迹进行扎针测试的现象确认清零后，点击开始按钮进行扎针测试当测至500颗左右时需检查扎针情况，若无异常则继续进行测试,测试完成后记录测试结果，若有异常则需要进行相应处理后再继续测试

13、晶圆切割后的光检中对于不良废品，需要做处理A、降档B、剔除C、标记D、修复答案B

14、以下不属于模拟集成电路的是o、锁相环AB、功率放大器C、运算放大器D、稳压器答案A

15、关于全自动探针台扎针调试的步骤，下列说法正确的是A、输入晶圆信息一调出检测MAP图一自动对焦一扎针调试B、输入晶圆信息一调出检测MAP图一扎针调试一自动对焦C、输入晶圆信息一自动对焦一调出检测MAP图一扎针调试D、输入晶圆信息一自动对焦一扎针调试一调出检测MAP图答案C

16、编带检查完后，需要以最小内盒数为单位拆批打印标签，一式份A、1B、2C、3D、4答案C编带检查完后，需要以最小内盒数为单位拆批打印标签，一式三份

17、化学机械抛光中，抛光液的作用是A、与硅片表面材料反应,变成可溶物质或将一些硬度过高的物质软化B、向抛光垫施加压力C、将反应生成物从硅片表面却除D、清洗硅片答案A硅片固定在抛光盘上后，抛光盘和装有抛光垫的旋转盘开始旋转，同时喷淋抛光液；然后抛光盘向抛光垫施加压力，此时抛光液在硅片和抛光垫之间流动，抛光液中的物质与硅片表面材料反应，变为可溶物质或将一些硬度过高的物质软化；通过研磨作用将反应生成物从硅片表面去除，进入流动的液体排出

18、重力式分选机的测试环节是在（）中进行、主转塔AB、旋转台C、测试轨道D、水平面上答案C重力式分选机的测试环节是在测试轨道中进行的主转塔和旋转台是转塔式分选机的设备，平移式分选机是在水平面上完成芯片的测试、分选

19、封装工艺中，将塑封后的芯片放到温度为175±5℃的高温烘箱内的作用是（）oA、测试产品耐高温效果B、改变塑封外形C、剔除塑封虚封的产品D、消除内部应力，保护芯片答案D

20、使用重力式分选机设备进行芯片检测时，第一环节需进行（）操作、上料AB、分选C、编带D、外检答案A重力式分选机设备芯片检测工艺流程上料一测试一分选一编带（SOP）一外观检查一真空包装

21、清洗是晶圆制程中不可缺少的环节，使用DHF清洗液进行清洗时，可以去除的物质是（）、光刻胶AB^颗粒C、金属D、自然氧化物答案D

22、风淋室在运行时，风淋喷嘴可以喷出（）的洁净强风A、高温烘烤B、车间内部C、低温处理D、高效过滤答案D风淋是为了吹出人体表面的灰尘，故其喷出的风必须是经过高效过滤，除掉掉微尘的洁净风

23、是芯片制造过程中在元器件表面上淀积金属薄膜以及随后刻印图形以便形成互连线和集成电路填充塞的过程、刻蚀AB、薄膜制备C、填充D、金属化答案D金属化是芯片制造过程中在元器件表面上淀积金属薄膜以及随后刻印图形以便形成互连线和集成电路填充塞的过程

24、铜电镀之前，需要沿着侧壁和底部，淀积一层连续的薄种子层，若种子层不连续可能导致电镀的铜产生A、空洞B、尖刺C、电迁移D、肖特基现象答案A如果种子层不连续，就可能在电镀的铜中产生空洞

25、在原理图编辑器内，执行Tools-Footprint Manager命令，显示A、Messages窗口B、工程变更命令对话框C、封装管理器检查对话框D、Navigator面板答案C

26、晶圆进行扎针测试时，测试机将测试结果通过传输给探针台A、GPIBB、USDC、VGAD、HDMI答案A

27、元器件的标志方向应按照图纸规定的要求，若装配图上没有指明方向,则应使标记向外易于辨认，并按照的顺序读出A、从左到右、从上到下B、从右到左、从下到上C、从右到左、从上到下D、从左到右、从下到上答案D

28、重力式分选机进行芯片检测时，如果出现上料槽无料管，应采取（）的处理方式A、人工加待测料管B、人工换料管C、人工加空料管D、人工将卡料取出答案A重力式分选机进行芯片检测时，如果出现上料槽无料，需要人工加待测料管

29、如果焊接面上有（），不能生成两种金属材料的合金层A、阻隔浸润的污垢B、氧化层C、没有充分融化的焊料D、以上都是答案D

30、墨点打点的位置是在（）的中央A、PAD点B、晶粒C、晶圆D、切割通道答案B打点时，合格的墨点必须控制在管芯面积的1/4~1/3大小，且墨点不能覆盖PAD点管芯是指在集成电路中制造集成块所用的晶粒

31、“6s”的管理方式相较于“5s”，多的一项内容是（）、整理AB、整顿C、清洁D、安全答案D5s即整理、整顿、清扫、清洁、素养6s管理是5s的升级，6s即整理、整顿、清扫、清洁、素养、安全（SECURITY）

32、晶圆扎针测试在测到一定数量时，需要检查扎针情况若发现针痕有异常，需如何处理o、记录测试结果AB、重新设置扎针深度或扎针位置C、继续扎针测试D、重新输入晶圆信息答案B

33、装片机上料区上料时，是将的引线框架传送到进料槽A、最顶层B、最底层C、任意位置D、中间层答案B

34、切筋成型工序中，设备在完成模具内的切筋与成型步骤后，下一步是O、下料AB、装料C、人工目检D、核对数量答案A

35、芯片的耐压度是指，主要取决于绝缘间隙和绝缘材料的性能以及绝缘结构A、所能承受的最大应力B、承受电压的能力C、所能承受的最大压强D、所能承受的极限载荷答案B耐压度是承受电压的能力，主要取决于绝缘间隙和绝缘材料的性能以及绝缘结构

36、晶圆检测工艺中，在进行打点工序以后，需要进行的工序是O o、真空入库AB、扎针测试C、打点D、外观检查答案D导片f上片f加温、扎针调试f扎针测试f打点f烘烤f外检f真空入库

37、反应离子刻蚀的过程简单来说是（）oA、电离一解吸、排放一轰击一扩散、反应B、轰击-*电离-*扩散、反应-*解吸、排放C、电离一扩散、反应一轰击一解吸、排放D、电离一轰击一扩散、反应一解吸、排放答案D反应离子刻蚀时，气体分子在反应室内电离出离子、电子和游离活性基（电离），电粒子受电场加速，以较大能量垂直地射到硅片表面，进行物理轰击，破坏原子键以增强化学反应和各向异性（轰击），同时活性基扩散并吸附到硅片表面，与其薄膜发生反应，进行化学刻蚀（扩散、反应），反应生成气体离开硅片表面，通过真空泵排出（解吸、排放）

38、8英寸的晶圆直径大小为（）A、125mmB、150mmC、200mmD、300mm答案C5英寸125mm,6英寸150mm,8英寸200mm,12英寸300mm

039、以全自动探针台为例，在上片时，将花篮放在承重台上后，下一步操作是（）A、前后移动花篮，确保花篮固定在承重台上B、按下降的按钮，承重台和花篮开始下降C、花篮下降到指定位置，下降指示灯灭D、合上承重台上的盖子答案A以全自动探针台为例，上片时，将花篮放在承重台上后，前后移动花篮，将花篮固定在承重台上

40、晶圆检测工艺中，在进行打点工序以后，需要进行的工序是（）、外观检查AB、扎针调试C、烘烤D、扎针测试答案C

41、以下属于导片步骤的是（）。