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一、名词解释:MEMS其英文全称为Micro-Electro-MechanicalSystem,是用微电子,即microelectronic的技术手段制备的微型机械系统第一个也代表器件的特征尺寸为微米量级,如果是纳米量级,相应的M这个词头就有来替代,变为纳机电及是在微电子技术的基础上发展M nanoNEMS,MEMS NEMS起来的,融合了硅微加工、技术等的多种精密机械微加工方法,用于制作微型的梁、隔膜、凹LIGA槽、孔、反射镜、密封洞、锥、针尖、弹簧及所构成的复杂机械结构(点击)它继承了微电子技术中的光刻、掺杂、薄膜沉积等加工工艺,进而发展出刻蚀、牺牲层技术、键合、、纳米压印、LIGA甚至包括最新的打印技术3D(绝缘衬底上的硅)技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋SOI:SOI Silicon-On-Insulator,氧化层通过在绝缘体上形成半导体薄膜,材料具有了体硅所无法比拟的优点可以实现集成SOI电路中元器件的介质隔离,彻底消除了体硅电路中的寄生闩锁效应;采用这种材料制成的集CMOS成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特殊合用于低压低功耗电路等优势,因此可以说将有可能成为深亚微米的低压、低功耗集成电路的主流技术SOI高级的是集微型传感器、微型执行器以及信号处理和控制电路、SOC:SOC-SystemonChip,MEMS直至接口、通信和电源等于一体的微型器件或者系统,这样的系统也称为即在一个芯片上实现SOC,传感、信号处理、直至运动反馈的整个过程是德文光刻、电镀和模铸三个词的缩写它是在一个导电的基板上旋涂厚的光刻胶,LIGA:LIGA然后利用射线暴光,显影后形成光刻胶的模具,再用电镀的方法在模具的空腔中生长金属,脱模x后形成金属的微结构特点该工艺最显著的特点是高深宽比,若用于加工一个细长杆,杆的直径惟独微米,而高度可达微米,深宽比大于这是其他技术无法比拟的其次,它还具有材1500500,料广泛的特点,可加工金属、陶瓷、聚合物和玻璃但传统的采用的射线暴光工艺极其昂LIGA x贵,近年来采用光刻胶替代光刻胶,紫外暴光代替射线暴光的准技术获得了更SU-8PMMA xLIGA广泛的发展和前DRIE:反应离子深刻蚀(DeepRIE)干法刻蚀的典型工艺是DRIE深槽刻蚀刻蚀分为两步,第一步,通入刻蚀气体进行反应离子刻蚀,刻蚀是各向同性的,即槽底不仅要被刻蚀,槽壁也SF6会被刻蚀如果就向来这样刻下去,刻蚀的图形和掩模定义的图形将彻底不一样,很难控制微结构的尺寸解决此问题的方法是分步刻蚀,逐次推进在刻蚀进行多秒钟转入第二步,快速地将刻10蚀气体切换成保护气体在等离子的作用下进行聚合,生成类似于特氟龙这种不粘锅材料,C4F8,C4F8沉积在槽底和槽壁上多秒钟后,又切换成刻蚀气体,等离子体中的正离子在电场加速作用10SF6下只轰击槽底,而不怎么轰击槽壁,优先将槽底的聚合物保护膜打掉,暴露出硅片表面,从而使得化学刻蚀反应能够再次进行刻蚀时,由于槽壁上仍然保留有保护膜,而不会被刻蚀重复这样的亥心虬保护过程,就能在硅片上刻蚀出垂直的深槽深槽在宏观上的垂直度能达到,但微观88-92上其侧壁是有多段小弧形连接而成干法刻蚀再也不象湿法腐蚀那样需要晶向的对准,因此可以制备出齿轮、弹簧等复杂的图形
二、多项选择题第一章、、器件的尺寸范围是⑴1MEMS()从到()从到()从到1lum1mm2Inm lum31mm1cm、微系统部件的“深宽比”被定义为()之比31
(1)高度方向尺寸和表面方向尺寸
(2)表面方向尺寸和高度方向尺寸
(3)宽度方向尺寸和长度方向尺寸
4、目前为止,商品化最好的MEMS器件是
(2)
(1)压力传感器
(2)喷墨打印头
(3)加速度传感器第二章、
1、在暴光后被溶解的光刻胶是
(1)
(1)正胶
(2)负胶
(3)正胶或者负胶
2、光刻中用正胶将导致的效果
(3)
(1)更好
(2)更劣
(3)与应用负胶相同、常用光刻中光源的波长范围是⑵3()()()1100-300nm2300-500nm3500-700nm、光刻与光刻的主要区别在于⑴4MEMS IC
(1)MEMS光刻需要在更为不平整的表面上进行
(2)MEMS光刻的线条更细
(3)MEMS光刻都需要双面进行
5、光刻技术中的暴光方式有
(1)
(2)
(3)
(1)接近式暴光
(2)接触式暴光
(3)投影式暴光
6、暴光方式中,图形尺寸和掩膜尺寸一致
(1)
(2)
(1)接近式暴光
(2)接触式暴光
(3)投影式暴光
7、影像光刻线宽的最主要因素是
(1)
(1)光的衍射
(2)光的干涉
(3)光的反射
8、剥离法制备图形的薄膜的基本步骤
(2)
(1)
(3)
(1)沉积薄膜
(2)光刻胶图形化
(3)去除光刻胶
9、在传统的投影暴光机中,普通实现的最小线宽为
(2)
(1)().5入⑵1人
(3)2人第三章、、体硅创造主要涉及部份材料从基底上的(底1
(1)增加
(2)减除
(3)既有增加也有减除
2、体硅创造中主要采用的微加工工艺为
(1)
(1)腐蚀
(2)沉积
(3)扩散
3、各向同性腐蚀在微创造中几乎是不理想的,原因是
(3)
(1)腐蚀速度太慢
(2)成本太高
(3)难于控制腐蚀方向
4、硅的
(1)晶向之间的腐蚀速率比时400:1
(1)
[100]和
[111]
(2)
[110]和
[111]⑶
[110]和
[100]
5、硅晶体中
(111)晶面和
(100)晶面的夹角⑵()()()
150.
74254.
74357.
47、各向异性腐蚀和各向同性腐蚀的速率相比(率6
(1)更快
(2)更慢
(3)差不多相同、腐蚀剂对的腐蚀速率要比对硅的腐蚀速率慢()7KOH sio21
(1)100倍
(2)1000倍
(3)20000倍、氮化硅的抗腐蚀性要比)8sio2O
(1)更强
(2)更弱
(3)儿乎相同、材料的选择比越高,作为腐蚀掩膜的能力越(高9
(1)越好
(2)越坏
(3)不好也不坏
10、在HNA腐蚀液中,掺杂的硅片的腐蚀速度会
(1)
(1)更快
(2)更慢
(3)没有影响、在湿法腐蚀时,处会和掩膜的图形不一样11
(1)凸角
(2)凹角
(3)两者都会、湿法腐蚀时保留下来的时腐蚀速度(度的晶面12
(1)快
(2)慢
(3)与速度无关
13、湿法腐蚀的腐蚀深度控制技术有
(1)
(2)
(3)
(1)p-n结住手腐蚀技术
(2)浓硼腐蚀住手技术
(3)中间层住手技术、结腐蚀住手技术又叫做⑴⑵14p-n
(1)偏压腐蚀
(2)电化学腐蚀
(3)p+腐蚀
15、在
(100)硅片的湿法腐蚀中,腐蚀出来的线条会沿
(2)晶向族()()()1
[100]2
[110]3
[111]
16、在
(110)硅片的湿法腐蚀中,掩膜上的线条必须沿品向族
(3)()()()2[100J2[110J3
[111]
17、采用湿法腐蚀,下述硅片能实现高深宽比的有
(2)()()()3
[100]2
[110]3
[111]
18、硅的过分掺杂会导致——残存应力
19、湿法腐蚀可以在(P-N掺杂硅)边界住手最终获得的微结构是(氮化硅的悬臂梁)
20、如图所示,制备在
(100)硅片上的U形氮化硅掩膜对硅片进行KOH湿法腐蚀,
21、在
(100)硅片上制备圆形的掩膜(硅片被遮住的部份为图形),利用碱液进行湿法腐蚀会获得
(2)微结构
(1)硅的圆柱
(2)硅的四愣锥
(3)硅的三楞锥第四章干法
1、反映离子刻蚀的机理包括(括
(2)
(1)等离子体增强化学气相反应
(2)溅射轰击
(3)侧壁保护、代表(表2DRIE
(1)干法腐蚀
(2)干法反映离子刻蚀
(3)深层反应离子刻蚀
3、DRIE的主要工艺方法有
(1)
(2)
(1)刻蚀和侧壁保护顺序进行的方法
(2)刻蚀和侧壁保护同时进行的方法()不需要侧壁保护的方法
34、在BOSCH和低温两种DRIE刻蚀工艺中,侧壁更为光滑的是
(2)()()低温工艺()两者区别不大1BOSCH
235、在RIE刻蚀中,深宽比越大,刻蚀速率越
(2)
(1)快
(2)慢
(3)一样
6、在干法刻蚀中,掩模板的线条与硅片晶向的关系为
(3)
(1)必须沿
[110]方向
(2)必须沿
[111]方向
(3)与方向无关、干刻中刻蚀硅的气体有⑴刻)7
(1)四氟化碳
(2)四氟化硫
(3)C4F
8、氟基气体干法刻蚀硅片在本质上是()81
(1)各向同性的
(2)各向异性的
(3)与温度有关、表面硅创造中主要采用的微加工工艺为(为9
(1)腐蚀
(2)薄膜沉积
(3)扩散第五章表面加工方法
1、PSG代表
(2)
(1)多晶硅玻璃
(2)磷硅酸盐玻璃
(3)磷硅玻璃
2、表面微加工中的牺牲层被用于
(2)
(1)强化微结构
(2)在微结构中产生必要的几何空间
(3)作为结构的部份、表面微加工中最常用的结构材料是⑵3()()多晶硅()二氧化硅2PSG
234、在表面微加工中,牺牲层的腐蚀速率与其他层的腐蚀速率相比必须
(3)
(1)慢得多
(2)几乎相同
(3)快得多、粘连存在于⑵5
(1)体硅微创造
(2)表面微加工
(3)激光微加工、在由表面微加工制作完成的微结构中,粘连会造成()63
(1)不匹配材料层
(2)薄膜
(3)层间原子力、可用于减少粘连的方法主要有⑴⑵于)7
(1)表面厌水处理
(2)干法释放
(3)在粘连面上设计凸点
8、设计的平面微结构经表面加工后向上弯曲,说明薄膜中存在
(2)
(1)压应力
(2)拉应力
(3)中心是压应力,边缘是拉应力
9、薄膜应力的主要类型是⑴
(3)
(1)热应力
(2)界面应力
(3)生长应力、薄膜的制备温度越高,热应力越)10J1
(1)大
(2)小
(3)与温度无关
11、减少应力的方法主要有⑴
(2)
(3)
(1)优化薄膜制备工艺
(2)退火处理
(3)多层薄膜,应力补偿
12、多晶硅被普遍应用的原因是它被制成⑴
(3)
(1)半导体
(2)绝缘体
(3)电导体
13、硅的湿氧化常被采用,由于
(1)()二氧化硅质量好()快的氧化速度()低成本
12314、硅石理想的MEMS材料的主要原因是⑴
(2)(理
(1)在很大温度范围内的尺寸稳定
(2)轻和结子
(3)容易得到、是()15PECVD3
(1)低压化学气象沉积
(2)常压化学气相沉积
(3)等离子体增强化学气相沉积第六章其他方法、工艺创造常用材料()注:几乎没有限制1LIGA MEMS,3
(1)限于硅
(2)限于陶瓷
(3)可以是单晶材料、同步射线在工艺中用于光刻的原因是()2X LIGA3
(1)它对光刻更有效
(2)它是更便宜的光源
(3)它能深入光刻胶材料、工艺的主要优势是它能够产生()3LIGA1
(1)高深宽比的微材料
(2)低成本的微结构
(3)尺寸精确的微结构、工艺中必须使用导电基板的原因是需要⑵4LIGA
(1)信号…
(2)金属的电镀
(3)…电加热、工艺中最好的光刻胶是()5LIGA3()()()1PCM2PMI3PMMA
6、UV-LIGA是在LIGA工艺的改造,其特点是
(1)⑵
(1)能制备高深宽比的微结构
(2)成本比LIGA大大降低
(3)能制备悬臂梁、空中的腔等、成本最低的微创造技术是⑴7体硅创造法表面微加工工艺123LIGA、最灵便的微创造技术⑵8体硅创造法表面微加工工艺123LIGA、一个硅玻璃的阳极键合发生于⑵9高温下高温高电压下高温和高压下
123、硅熔融键合需要的工艺条件有⑴⑵10高温平整的硅片高温和高压下
123、代表绝缘体隔离层上的硅11SOI2离子分层隔离物上的硅隔离物下的基质
123、是为了阻挠漏电12SCI1电的泄露热效应的泄露硅基上腐蚀的扩散
123、工艺通常发生在⑴13SOI摆布的高温上摆布的中温低摆布的低温11℃
25003200、微系统中的封装费用很贵142弱小的十分昂贵的在生产花费中有时昂贵
123、预制备一个的微型中空球,应该采用_15100pm表面加工技术三维加工技术2DRIE23第七章、电路与微系统一体化加工中的方法共有种1CMOS MEMS
2322334、电路和微结构的一体化加工,最主要的工艺兼容问题2CMOS MEMS2应力导致结构变形温度导致电性能变化结构释放时的粘连12CMOS
3、的流程是3Pre-CMOS2先制备电路,再制备结构先制作结构,再制作1CMOS MEMS2MEMS CMOS电路电路和电路同步进行3CMOS MEMS、中哪些是高温工艺,会影响性能⑴4MEMS IC3多晶硅结构层薄膜沉积氧化硅牺牲层薄膜沉积薄膜的退火
123、下述关于封装的描述正确的是5MEMS13封装很贵,可占领总成本的封装比有更多的管脚1MEMS80%2MEMS IC有些传感器不能彻底密封3MEMS第八章、硅材料有个压阻系数张量的分量
11232436、单独使用硅压电电阻主要缺点⑶2生产这种电阻的高成本对信号转换的高敏感性对温度的高敏感性
123、要得到硅压阻传感器的最大灵敏度,应该使达到最大程度31应力应变薄膜变形
123、对于微压力传感器,正方形膜片的几何形状是比较常见
4、压力传感器膜片中间设有一个硬心,是为了测更大压力
5、压阻系数用张量表示,是阶张量
64、压电是表示外力与极化的关系,按张量的定义,压电常数是阶张量73简答题各分,共分
848、碱液腐蚀单晶硅,为何不同晶体方向的腐蚀速度不一致.(第三章)1P19⑴不用晶面上原子罗列不一样,密排面刻蚀速度慢
(2)不同晶面上的悬挂键数目不一样,背键数不一样,例如
(100)晶面的背键数为2,
(111)晶面的背键数为3,因此
(100)晶面刻蚀速度最快,
(111)晶面为刻蚀住手面⑶水份子的屏蔽作用(反作用,但很慢)、简述电化学腐蚀住手技术的基本原理和特点2原理电化学钝化,当硅片相对于刻蚀液具有足够大的阳极电位,硅片氧化,刻蚀住手结返向电压,无电流不参预钝化作用,型硅被刻蚀,当硅刻蚀完以后,结消失,PN PP PN钝化电流通过,硅被钝化而不刻蚀N即无电流碱液腐蚀Si有电流生产.产生钝化不进行腐蚀SiO2特点型硅和型硅的钝化电势不同型硅钝化电势>型硅钝化电势P NP r4电势需在型硅和型硅的钝化电势之间,型硅被腐蚀,型硅被钝化P NP N、简述工艺干法刻蚀制备垂直深槽的基本原理和过程(第四章时分复用)3BOSCH P14基本原理刻蚀硅片,具有各向同性会发生刻蚀通过保护气体形成保护膜,然SF CF648后通过等离子体的轰击作用使对水平面的硅优先刻蚀(等离子体有方向性)SF6过程SF—CF-SF-CFoo
648648、试采用表面硅加工法制备下图所示的活页结构,阐述加工步骤,画出每一步掩膜板的侧视图和鸟4瞰图、技术的原理和特点(第六章)5LIGA P22原理通过光刻、电铸和模铸工艺进行加工的技术特点、传统机械与微加工的结合,适合大批量生产
1、材料广泛高份子、金属、陶瓷等材料
2、能够创造大深宽比的结构厚度达深宽比31mm,〜1000高深宽比是是技术最鲜明的特征,具有高深宽比的原因是短波长射线光刻能量LIGA X高()聚焦能力强,穿透能力强,吸收低,衍射弱导致分辨率到达亚微米IGEv,、简述硅玻璃键合的基本原理和工艺过程(第六章)6Pl1基本原理用含钠玻璃接阴极、硅接阳极施加电压和一定温度,通过静电作用将和玻璃等多个基Si底结合为一个基底的技术工艺过程当温度到400℃时NaO分解为Na+和0”,电场下正离子(Na+)向阳极挪移,2玻璃表面形成带负电的耗尽层,向硅片挪移,浮现带正电的印象电荷区通过静电吸弓|,02距离进一步接近,份子间作用力开始起作用最后界面处生成氧化硅E=500MV/m,Si+2O2-=SiO+4e-
2、请例举由传感器应用的具体例子(第章)7MEMS1例1MEMS微陀螺芯片(典型尺寸3x5xlmm3,典型分量〜3g第一章)例2MEMS微型色谱(芯片面积
1.5x
3.0cm2,厚度〜1mm,功耗数十w第一章)例3MEMS麦克风(2003年,Motorola)例4加速度传感器,也称为重力感应器(2022年,任天堂wii游戏机,大多数智能手机里都有)例5陀螺仪(最早在iphone4中应用,现在还大量用于数码相机和摄像机)例6MEMS传感器在汽车上也大量应用,比如压力传感器、加速计、陀螺仪和流量传感器,MEMS压力传感器主要用于发动机控制系统,加速传感器主要用于安全气囊,陀螺仪主要用MEMS MEMS于主动安全控制和惯性导航系统中例7MEMS传感器在医疗健康上也大量应用,MEMS压力传感器很小,可以分布于义齿基托内,更准确地测试咬合面植入式传感器用于检测动脉瘤的心脏血流压力传感器体积非常小巧例8MEMS技术还用于制备人工视网膜芯片的弱小电极,用于刺激视网膜上残存的正常神经细胞,匡助盲人恢复视力、简述剥离法制备金属线条的基本原理和过程
8、简述纳米压印技术的基本原理(第六章)9P63基本原理采用绘有纳米图案的压膜将基片上的聚合物薄膜压出纳米级图形,再对压印件进行常规的刻蚀、剥离等加工,最终制成纳米结构和器件的技术、纵观全课程,从所能实现的微结构的复杂性出发,说明湿法体硅加工、干法体硅加工、牺牲层10技术、、三维立体光刻技术的区别和联系,着重描述各种技术所能完成什么样的微结构(湿LIGA法第三章最后一页,第六章)LIGA P20湿法体硅加工、干法体硅加工都属于体微加工技术,都是向基地深度方向进行刻蚀的技术湿法刻蚀分为各向同性和各向异性腐蚀,各向异性腐蚀具有晶面依赖性湿法刻蚀具有操作简单,碱金属与不兼容,相对安全无毒,但操作不够灵便掩膜存在对准问题,刻蚀住手线决定了槽深受IC晶面方向性影响只能创造出特定形状的微结构干法体硅加工可以刻蚀任意图形的垂直深槽相较于湿法刻蚀操作灵便不少,但是对设备和操作时间控制要求较高L1GA最鲜明的技术特征为能够创造大深宽比的结构,厚度达1mm,深宽比〜1000三维立体光刻是体加工技术和表面加工技术的补充,能够制备上述技术难以制备的曲面掌握Ik不同深度微结构的深刻蚀技术的原理和方法,能画出光刻板图描述具体的制备过程(第六章,高深宽比结构的创造)
(1)SCREAMSingleCrystallineReactiveEtchingandMetallization(可实现101的深宽比,受氧化硅共形能力限制)制备过程)硅上生长氧化硅1)刻蚀氧化硅开窗2)深槽刻蚀3DRIE)氧化或者制备共形氧化硅或者4CVD PSG)刻蚀槽底的氧化硅5)继续深槽刻蚀6)各向同性刻蚀释放结构也可采用湿法腐蚀7)金属化8()呼(多晶硅)(多晶硅和单晶硅之间形成电容)2hi^i ectraliopdysilicaistructures特点多晶硅沉积+氧化硅牺牲层(将常规的深宽比提高到)制DRIE+DRIE50200备过程)沉积氮化硅厚膜,刻蚀填充槽要求槽垂直,侧壁光滑)高温沉积氧1LPCVD DRIE2LPCVD化硅作为牺牲层要求深槽均匀覆盖氧化硅薄膜)光刻氧化硅,露出氮化硅作为支撑锚点3)沉积掺硼多晶硅填充深槽,刻蚀多晶硅/氧化硅形成支撑锚点,首先沉积硼源,再4LPCVD LPCVD填充多晶硅,然后高温推进扩散)沉积或者其他金属,剥离或者腐蚀图形化;涂覆厚胶,开窗口5Cr/Au DRIE6)DRIE亥U硅,深度比最终结构10-20|im;为避免RIE-lag,刻槽应尽可能一样宽,所有多晶硅填充槽被包围)各向同性刻蚀(横向)刻蚀释放结构,大结构不会浮现粘连;氧化硅牺牲层保护多晶硅不受7SF6刻蚀,但单晶硅会从下面减薄)去除光刻胶;去除氧化硅释放多晶硅微结构8HF()()3DRIE+Bonding/SOI SUicononinsulator)硅双面氧化,光刻正面氧化硅;1SOI)正面沉积氧化硅作为第二层掩模,涂敷光刻胶,暴光并显影2)刻蚀形成单层或者双层硬掩模;)背面刻蚀氧化硅,重新定义光刻胶图案,在氧化硅开窗3RIE4处刻蚀硅,形成高度差DRIE)去除氧化硅,继续刻蚀,直至先刻蚀的部份达到埋层氧化硅,刻蚀埋层氧化硅5RIE DRIERIE)继续刻蚀至所需深度,去除氧化硅6RIE)正面刻蚀至所需深度7DRIE)除去正面的部份区域有热氧化硅,继续刻穿,去除氧化硅8LTO,
三、计算题(各分)
151、试计算单晶硅(1()())晶面和
(111)晶面的夹角(单晶硅可视为立方结构)(8分)
2、在
(100)硅片表面进行TMAH刻蚀,正方形窗口大小为2umx2um,掩膜为二氧化硅,图形开窗沿[]方向,{}面的刻蚀速度为画出刻蚀秒,秒和秒后的窗口界面图
1101000.6um/min,40100600秒秒秒后
40100600、用从硅片正面刻蚀穿透厚的{}硅片,背面开口大小为3KOH500um10020umx20um.⑴计算正面掩膜开口的尺寸(5分)⑵如果硅片厚度有的误差,导致背面开口尺寸有多大的偏差(掩模板尺寸不变)1%⑶如果掩膜的刻蚀速度为能够实现整个硅片彻底掩盖需要的二氧化硅厚度为SiO,10nm/min,500um妥少.(5分)500()如图,正面掩膜开口的尺寸为一人1,32+20=728um()tan
54.7⑵偏差500x1%=+
3.54um=+()tan
54.7
(3)设硅的刻蚀速度为
0.6um/min,则刻蚀选择比Si SiO=600nm/min10nm/min=60:12所以SiO的厚度为500252一=_603=
8.33um、一个厚的硅片初始半径为沉积一层的二氧化硅后,硅片的曲率半径变4500um r=+300m,300nm为再沉积一层的氮化硅后,曲率半径变为r=+200m,600nm r=+320m,
(1)分别计算二氧化硅和氧化硅薄膜的应力
(2)如果欲通过淀积氮化硅将带有上述二氧化硅和氮化硅的硅片补偿为彻底平整(r为无穷大),氮化硅的厚度应该为多少.(已知硅的泊松比为弹性模量)
0.272,190GPaSiO2第二层SiN
(1)应力为厚度比的倒数、()()沉积在()厚的硅片上,沉积温度△()()求薄膜的热应力和应55nmAL50um T=4℃,变,以及曲率半径(已知硅的泊松比为弹性模量热胀系数铝的弹性模量热
0.272,190GPa,25ppm,70GPa,胀系数)
2.6ppm
6、利用跌落住手技术在500um厚的
(100)硅片上制备悬空膜片膜片为50umx50um的方形,要求膜片的厚度为试画出正反两面的光刻板版图,并标出尺寸10um,■♦…■--—_--------------------------~——-———~~1■1。