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文本内容:
半导体所保健津贴的工作类别标准
一、一类保健津贴的工作类别(-)非放射性工作专职从事有机及高分子合成工作(经常接触使用剧毒物质)
1.专职从事化学化工研究和生产工作,经常接触使用剧毒物
2.质或强致癌物质专职有氧电镀工作
3.半导体气相、液相种外延
4.离子注入机掺杂工作
5.氧化钺开放性热加工工作
6.从事高能量大功率激光器的研制
7.(-)放射性工作在开放型放射实验室中工作,每月经常操作下列辐射水平
1.人员()极毒性(即)
121.85xlO6Bq
0.05mCi()高毒性(即)
221.85x107Bq
0.5mCi()中毒性()(即)3NL85xl8Bq5mCi()低毒性义(即)
421.8519Bq50mCi即等效操作量在(即)
1.85x107Bq
0.5mCi放射性工作人员月累积剂量达(即)
2.ImSv lOOmrem操作高压大功率(工作电压电流)离子注入
3.42kV,50MA机人员
二、二类保健津贴的工作类别
(一)非放射性工作专职从事化学分析或在化学、生物化学和其它科研工作中
1.经常使用高毒物质或接触使用致癌物质的工作半导体扩散、光刻、制版、外延以及减薄工艺
2.光电器件制网、制靶、制版、蒸靶
3.拉单晶
4.晶体生长工(水溶液晶体生长享受三类保健津贴)
5.阴极、热子研制工(包括光电阴极)及荧光屏研制
6.等离子溅射、腐蚀、焊接、切割
7.电镜操作工(经防护后在操作位置上月累积剂量即
8.ImSv,以上者可享受一类保健津贴)lOOmrem电子束焊接、曝光、蒸发
9.
10.微波功率源研制测试及雷达发射(辐射大于50|W/cm2)LI高频感应加热(电场强度大于)
11.100V/m研制有毒染料介质激光器或大功率(包括固体气体)准分
12.子激光器(平均功率大于或可见光激光器功率大于)50W5W从事光学玻璃材料熔炼和配料、清洗腐蚀及退火工
13.加工碘化物、碑化钱晶体及特种光学玻璃(含神、铅、镯
14.磷酸盐)强磁场实验(高于万)
15.11Gs(-)放射性工作在开放型放射实验室工作,每月经常操作下列辐射水平的
1.人员极毒性即1N
3.7xl4Bq1ei1bl高毒性即2m/Zxl^Bq lOjuCi中毒性3N
3.7xlO6Bq gplOOpCi低毒性即4N
3.7xlO7Bq lOOOjiCi即等效操作量在即以上
3.7x105Bq lO^Ci经常操作密封放射源的工作人员
2.携带式辐射源即以下
11.85x109Bq50mCi固定式辐射源即以上
223.7x10Bq10Ci操作强度勺中子/秒同位素中子源3O,操作即以下镭源
403.7x108Bq10mCi5p^
3.7xlO6Bq即lOOpCi专职剂量监测人员兼职人员享受三类保健津贴
3.专职从事光机、放射线、丫探伤仪和光衍射仪的操
4.X XX作人员放化实验室专职检修人员
5.放射性物理化学分析人员
6.经常使用固定辐射源以上的科研实验人员
7.1000Ci
三、三类保健津贴的工作类别一非放射性工作在科研工作中,经常使用中毒物质或大量使用低毒物质的
1.工作专职从事一般化学分析,经常接触使用中毒物质的工作
2.专职从事药材加工等接触粉尘严重的工作
3.砂轮切割工,工具磨工
4.电气焊工,氢炉焊接工,电火花加工
5.真空镀膜(使用高毒物的享受二类保健津贴)
6.非金属材料(陶瓷、晶体、岩石、玻璃等)研磨、切割、抛
7.光.磁性材料制备、生产8化学药品仓库保管员(量大品种多,同时进行分装回收可
9.享受二类保健津贴)动力变电工
10.35kV微波管流程、装焊工
11.力学的疲劳、振动、断裂试验
12.操作塑料注射机及专职塑料焊接工
13.研制小功率激光器或一般使用激光器
14.微波测试工作(辐射)
15.20〜50|jW/cm2高频装置操作工(电场强度大于)
16.20V/m专职去离子水的生产工
17.光学玻璃胶合、刻划、测试工
18.半导体工艺压焊、打印工以及专职从事电子线路板铅焊工
19.专职下水道工、专职司炉工(直接接触煤尘作业和高温条
20.件)在大于()的噪声条件下(脉冲噪声除外)工作的
21.90dB A人员专职从事一般化学分析,经常接触使用大量低毒物质
22.空调维修工(氨气设备可享受二类保健津贴)
23.视觉电生理实验
24.光机装校工
25.从事低温制冷液氮、液氨等工
26.封闭式空调机房内专职计算机工作人员
27.图书资料档案库专职保管人员
28.二放射性工作在开放型放射实验室工作,每月经常操作下列辐射水平的人
1.极毒性即1VB/ZxllBq lpCi高毒性即2VS/ZxlNBq lOpCi中毒性<即
33.7x106Bq100HCi1低毒性<即
43.7x107Bq1000|nCi即等效操作量在即以下
3.7x1Bq lOpCi从事密封放射源操作的人员
2.携带式辐射源即
13.85x108Bq5mCi固定式辐射源<即
23.7x101Bq ICi33p^<
3.7xlO6Bq即lOOpCi。