HMSIW定向耦合器的仿真设计

HMSIW定向耦合器的仿真设计

1.引言基片集成波导SIW是一种新型的高Q值、低损耗集成导波结构，易于设计和加工，并易集成在平板电路上，且成本低，可以广泛应用于微波毫米波集成电路中由于与传统矩形遗导的相似性，很多设计概念可以借用，比如波导功分器、滤波器、天线等在本文中，我们用这种导波结构宽边开缝实现了定向耦合器,且本文采用的是半膜结构，这样可以减小近一半的尺寸但不会影响其性能，最后仿真结果也符合理论分析与研究，达到了预期的目的基片集成波导工作在主模时，在沿着波传播方向的波导对称面上，电场的场值达到最大值而磁场的值却几乎为零，因此此对称面可以等效为一磁壁这样基片集成波导就可以用一假想的磁壁分隔成两半，每一半就变成了半膜结构的基片集成波导，且能量几乎全部束缚在内部，从分割面泄露的能量忽略不计图1就是HMSIW与SIW中主膜的对比情况HMSIW图1HMSIW与SIW中的主膜

2.HMSIW定向耦合器的设计本文中我们所研究的HMSIW定向耦合器，主要受波导定向耦合器的启发，运用波导宽边开缝耦合理论，在两波导公共宽壁上的适当位置开一细长缝隙进行能量耦合，是一种新型结构的SIW定向耦合器由于我们用的是基片集成波导，所以要把两层SIW的接地板重叠在一起，这样上下两层SIW就可以看成具有公共宽壁的两波导，因此把缝隙开在此结构的中间那层接地板去耦合能量，就相当于宽边开缝的波导耦合又由于是半膜结构，就要考虑缝隙的位置，通过仿真分析与研究，缝隙的位置开在金属化孔的附近的耦合情况要好图2就是设计的HMSIW定向耦合器结构，特别说明缝隙是在中间的那层接地板，不在上层与下层微带上反面忸凡图二一，僧2HMSIW定向幡介81的正反而结构我们必须根据其设计原理来考虑SIW定向耦合器的尺寸5-6,对于工作在相同频段的HMSIW定向耦合器，其宽度W_hsiw可以设置成SIW定向耦合器的一半，HMSIW到微带线的过渡线宽W_tr大约也是SIW到微带线的过渡线的一半，SIW与微带之间的过渡设置可仗参考7-8耦合缝隙的位置与尺寸的初值可以先按照工作在同一频段的波导理论去设置，然后再进行优化设计最后达到最佳值，表一是我们设计的HMSIW定向耦合器的几何尺寸，这时的耦合缝隙长度是按照一个3dB定向耦合器设置的，当然可以通过改变缝隙长度的值来改变耦合量的大小袅1HMSIW定向端自器的几何尺4W msL trL vspL slotR ms15mm11mm08mm215mm525mmW Wmi WW txR vu6mm15mm0Smm35mm02smm

3.软件仿真结果该耦合器工作在14GHz-24GHz范围内，选用的介质基片的厚度h=

0.5mm,介电常数

2.2r e=，损耗角正切tan6=

0.0009,导带厚度t=

0.035mm采用三维全波电磁仿真软件屿对HMSIW定向耦合器进行仿真与优化，使其达到最佳效果其对应表一的仿真S参数结果见图3,这时候，对应的在基片集成波导里的电场分布情况示于图4,我们可以看到能量从主波导的1端口通过缝隙耦合到副波导的3端口，没有明显的能量泄露0正面电场传播情况图43DB-HMSIW定向耦合H的正反面电场分布

4.结论本文提出了一个理想的HMSIW定向耦合器的新型结构，其主要特点是尺寸小，且隔离度大，损耗低，带宽宽，已经跨越了KU波段和K波段可以用在集成度高的微波电路与毫米波电路中基片集成波导定向耦合器在设计上具有很大的灵活性，不但加工简单，成本低，还可以把传统波导的一些概念和设计方法直接借用过来，使其得到充分的实现:任利霞、唐璞，电子科技大学电子工程学院

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