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全球闪存市场竞争格局分析NAND、闪存行业发展概况NAND在众多的存储芯片中,应用最为广泛的为内存和闪存DRAM NAND一般作为计算机实时处理数据时的存储FLASH NORFLASH DRAMCPU0介质,一般用作大容量存储介质,一般用作物联网设备中的NAND Nor小容量存储介质内存不同于闪存,虽然它们都是处理器处理所需数据的载体,但是内存的作用是提供了一个处理当前所需要数据的空间,它的空间容量较闪存小,但读取数据的速度更快,就像通道一样,它为VIP当前最需处理的数据提供了快速的通道,使得处理器能够快速获取到这些数据并执行属于非易失性存储芯片,储存容量大,应用广泛存储芯片根NAND据断电后数据是否丢失,可分为非易失性存储芯片和易失性存储芯片,前者包括(和)后者包括(和)Flash NORNAND,RAM DRAMSARM NORo存储容量较小,但读取速度快,主要用于存储代码以块的Flash NAND子单元进行重写和擦除,可以实现更快的擦除和重写,且存储容量大,广泛用于(固态硬盘)、手机、平板、服务器、驱动器和存储SSD USB卡等年,占全球存储器市场的比例为是存储器2020NAND Flash42%,分支中市场规模第二大的产品受疫情影响,年全球产值达亿美元,同比增长约2020NAND56030%在以及企业云建设带动下全球产值将会持续增长,预计5G NAND Flash到年产值将达到亿美元左右,至年2026NAND Flash86020212026CAGR为
4.2%下游应用众多,从分布领域看,移动终端和为NAND FlashSSD NAND需求主要来源,第三是移动存储,包括和闪存卡,目前市场Flash USB份额较低
三、闪存行业竞争格局NAND国内市场需求巨大,中国作为全球最大的电子产品制造中心,NAND拥有全球最大的芯片消费市场,年我国闪存市场销售NAND2020NAND规模占全球比重的销售占比全球排名第一;美国市场紧随其后,销37%,售占比达;此外,日本及欧洲的市场占比较低,均为31%4%芯片市场呈现出寡头垄断的供给格局,年一季度,三星NAND2021排名第一,市场份额为;出身东芝半导体的铠侠占据的市场;
33.5%
18.7%西部数据市场占有率为排名第三行业第四名的海力土于
14.7%,SK2020年月宣布将支付亿美元收购行业第六英特尔闪存及存储业1090NAND务,如收购顺利完成,海力土的规模将与铠侠相当,芯片市场SK NAND集中度再度提升行业进入门槛高,存在技术、产业整合、客户认可、资金和规NAND模、人才五大壁垒生产对性能和产品指标要求高,且需要NANDFlash与先进封装技术和工艺制程相互协同,具有一定的技术壁垒和产品整合行业前期投入研发费用高昂,对投入资金、高端人才和企业规模均提出了更高要求由于产品验证周期长,各厂之间的合作关系稳定,新厂商进入难度大
五、闪存行业发展趋势NAND从到是大势所趋,可突破存储容量限制瓶颈在平NAND2D3D2D面上对晶体管尺寸进行微缩,从而获得更高的存储密度,但晶体管尺寸微缩遇到物理极限,现已面临瓶颈,达到发展极限为了在维持性能的情况下实现容量提升,成为发展主流把解决思路从3D NAND3D NAND单纯提高制程工艺转变为堆叠多层,成功解决了平面在增加容量NAND的同时性能降低的问题,实现容量、速度、能效及可靠性等全方位提升、分类1垂直沟道结构搭配和颗粒类型,为主要产品类型3D MLCTLC3D一般使用(每单元存储比特数据)或者(每单元存储NAND MLC2TLC比特数据)闪存颗粒随着每单元存储数增加,闪存颗粒的容量逐3bit渐增大,但是擦写速度和寿命都会减少,价格也随之降低结构可以分为简单堆叠、垂直沟道和VG垂直栅极三种,目前3D NANDVC市面上主要为垂直沟道形式3D NAND、竞争格局2铠侠与西数联合研发的新一代产品增加了横向密度和存储层,BiCS5在基础上芯片存储容量提升至少性能加快近铠侠BiCS440%,I/O50%在新开发的半圆形存储单元设计中用浮栅电荷存储层代替电荷陷阱型电荷存储层,通过将圆形单元的栅电极分割为半圆形以减小单元尺寸,以较少的单元堆叠层数实现更高的位密度。