文本内容:
填空题
1、一个整流器主要由(整流变压器)、(整流电路)、(滤波电路)三个部分组成
2、可控硅的三个电极分别是(阳极)、(门极)、(阴极)o
3、由2个PN结构成的三极管具有(控制)和(放大)的作用,是放大电路中的核心部件
4、现在使用的光电有(反射式)、(散射式)、(对射式)形式
5、共射极接法的三极管的输出特性曲线分为四个,分别为(饱和区)、(放大区)、(截止区)、(击穿区)
6、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压片产生影响,具体地,对于短沟道器件对■的影响为下降,对于窄沟道器件对的影响为上升VT
7、在晶闸管可控整流电路中,减少(导逋)角,可使输出电压平均值(隆低)o
8、PN结电击穿的产生机构两种(雪崩击穿、隧道击穿)或(齐纳击穿)
9、双极型晶体管中重掺杂发射区目的为提高(发射效率),以获取高的(电流增益)
10、随着工作频率f的上升,晶体管共射极电流放大系数.将(下降),当将为为同=1时所对应的频率右,称作(特征频率)
11、当MOSFET进入饱和区之后,漏电流发生不饱和现象,其中主要的原因有(沟道长度调制)效应,(漏沟静电反馈)效应和(空间电荷限制)效应
12、是基极开路时(发射极)与(集电极)之间的击穿电压VCE
13、晶闸管也称(可控硅),其特点是(耐压高)、(容量大)、(效率高)
14、三端稳压器有(输入端)、(输出端)和(公用端)三个引脚,按输出电压是否可调,三端集成稳压器分为(固定式)和(可调式)两种
15、晶体管的开关速度取决于(开关时间)选择题
16、三相半波可控硅整流电路带电阻负载时,每只晶闸管的最大导通角为—D_.A.60°B.150°C.90°D.120°判断对错
17、(v)电容器是一个储能元件,电感器也是一个储能元件
18、(X)保护可控硅可以使用空气断路器
19、(X)楮材料温度特性好于硅材料,所以稳压管多用于错材料制造
20、请写出晶闸管导通、截止的条件(4分)导通条件阳极加正向电压并且门极加足够功率的正向电压或脉冲截止条件阳极加反向电压或阳极电流小于维持电流。