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《常用半导体器件》P PT课件PPT,a clickto unlimitedpossibilities汇报人PPT目录/目录010203点击此处添加半导体器件概常用半导体器目录标题述件介绍040506半导体器件的半导体器件的半导体器件的工作原理特性参数与性选用与使用注能指标意事项01添加章节标题02半导体器件概述半导体器件的定义和分类半导体器件利定义具有特定分类根据材料、应用广泛应用用半导体材料制功能的电子器件,结构和功能,可于电子、通信、成的电子器件如二极管、三极以分为二极管、计算机等领域管、集成电路等三极管、场效应管、集成电路等半导体器件的发展历程1947年,晶体管发明,标志着半导体器1971年,微处理器发明,开启了个人电件的诞生脑时代1989年,超大规模集成电路(VLSI)1958年,集成电路发明,将多个晶体管出现,将数十亿个晶体管集成在一个芯集成在一个芯片上片上1965年,摩尔定律提出,预测半导体器2000年以后,纳米技术应用于半导体器件的发展趋势件制造,提高了器件的性能和集成度半导体器件的应用领域电子设备如手通信设备如基汽车电子如车工业控制如自医疗设备如医航空航天如卫机、电脑、电视站、路由器等载导航、车载娱动化生产线、机疗仪器、医疗电星、航天器等等乐系统等器人等子设备等03常用半导体器件介绍二极管工作原理利主要类型整应用领域电特点体积小、用PN结单向导流二极管、开源、信号处理、重量轻、功耗电性关二极管、稳通信等低、可靠性高压二极管等晶体管晶体管是半导晶体管的主要晶体管可以分晶体管的发明体器件的一种,功能是放大、为双极型晶体是电子技术发由两个PN结组开关和调制管和场效应晶展的重要里程成体管碑集成电路集成电路的分类集成电路的定义集成电路的应用集成电路的发展根据集成度,可将大量的电子元广泛应用于计算趋势朝着更高以分为小规模集器件集成在一个机、通信、消费集成度、更低功成电路(SSI)、微小的半导体芯中规模集成电路电子等领域耗、更小尺寸的(M SI)、大规片上,形成具有方向发展模集成电路(LSI)特定功能的电子和超大规模集成电路电路(VLSI)场效应管场效应管是一种电压控制型半导体器件场效应管具有输入阻抗高、噪声小、功耗低等优点场效应管广泛应用于电子设备中,如放大器、开关、电源管理等场效应管可以分为N沟道和P沟道两种类型,分别适用于不同的应用场合04半导体器件的工作原理二极管的工作原理二极管是一种具有单向导电性的电子元件当二极管两端的电压超过其阈值电压时,二极管会导通当二极管两端的电压低于其阈值电压时,二极管会截止二极管的工作原理基于其内部的PN结结构晶体管的工作原理晶体管是半导体器件的一种,由两个PN结组成晶体管的工作原理基于电子在半导体中的运动和相互作用晶体管有三种基本类型NPN、PNP和NMOS晶体管的工作状态包括饱和区、截止区和放大区集成电路的工作原理集成电路是由半导体器件的集成电路的工集成电路的工作原理包括模工作原理是利许多半导体器作原理是将多拟电路和数字用半导体材料件组成的电路个半导体器件电路两种类型,的电导率随温系统集成在一个芯模拟电路用于度、光照、压片上,通过电处理模拟信号,力等外界因素路设计实现特数字电路用于的变化而变化处理数字信号定的功能的特性场效应管的工作原理场效应管是一种电场效应管由源极、当栅极电压发生变场效应管的工作原化时,源极和漏极压控制型器件,其漏极和栅极组成,理可以应用于放大、之间的导电能力会工作原理基于场效其中栅极是控制极开关、稳压等电子发生变化,从而实应效应电路中现对电流的控制半导体器件的特性参数05与性能指标二极管的特性参数与性能指标正向导通电压二极管在正向导通时,两温度系数二极管的特性参数随温度变化端的电压降的程度反向击穿电压二极管在反向电压作用下,开关速度二极管从正向导通到反向截止能够承受的最大电压的时间反向漏电流二极管在反向电压作用下,噪声系数二极管在信号传输过程中产生流过二极管的电流的噪声大小晶体管的特性参数与性能指标输出电阻ro,表示晶体管频率特性fT,表示晶体管输出端的电阻能够工作的最高频率输入电阻rbe,表示晶体功耗P,表示晶体管工作管输入端的电阻时的功耗电流放大系数β值,表示噪声系数NF,表示晶体管晶体管放大电流的能力工作时产生的噪声大小集成电路的特性参数与性能指标集成度功耗指速度指稳定性集成电路集成电路指集成电集成电路集成电路指集成电的封装形的应用领路中包含在正常工在正常工路在正常式包括域包括的晶体管作状态下作状态下工作状态D IP、消费电子、数量的耗电量的运行速下的稳定Q FP、通信、汽度性能BGA等车电子等场效应管的特性参数与性能指标l栅极电压控制场效应管的导通和关断l漏极电流场效应管的输出电流l输入阻抗场效应管的输入阻抗高,可以减少信号损失l输出阻抗场效应管的输出阻抗低,可以减少信号损失l开关速度场效应管的开关速度快,可以减少信号损失l功耗场效应管的功耗低,可以减少能源消耗半导体器件的选用与使06用注意事项二极管的选用与使用注意事项选用原则根据电路要求选正向导通电压选择二极反向耐压选择二极管时,择合适的二极管类型和参数管时,需要考虑正向导通需要考虑反向耐压与电路电压的匹配电压与电路电压的匹配反向漏电流选择二极管时,使用注意事项在使用二极散热问题在使用二极管时,需要考虑反向漏电流与电路管时,需要注意二极管的极需要注意二极管的散热问题,要求的匹配性,避免接反导致电路损坏避免过热导致电路损坏晶体管的选用与使用注意事项l晶体管类型根据电路需求选择合适的晶体管类型,如NPN、PNP、MOSFET等l工作频率选择工作频率满足电路需求的晶体管,避免频率过高导致晶体管损坏l功率根据电路需求选择合适的晶体管功率,避免功率过小导致晶体管过热损坏l封装选择合适的晶体管封装,以满足电路板布局和散热需求l散热确保晶体管有足够的散热空间,避免过热损坏l测试在使用晶体管前,进行必要的测试,确保其性能和参数符合要求集成电路的选用与使用注意事项选用原则性能参数封装类型工作环境测试与调安全与保试在电根据电路关注集成根据电路考虑集成护注意路设计中需求选择电路的性板空间和电路的工集成电路进行充分合适的集能参数,散热需求作环境,的安全与的测试与成电路如功耗、选择合适如温度、保护,如调试,确速度、精的封装类湿度、电防静电、保集成电度等型磁干扰等防潮、防路的正常尘等工作场效应管的选用与使用注意事项场效应管类型N场效应管参数漏场效应管应用开场效应管使用注意沟道、P沟道、增源电压、漏极电流、关、放大、稳压、事项避免过压、过流、过热、静电强型、耗尽型等栅源电压、栅极电电源管理等等损坏,注意散热流等和保护措施07总结与展望对常用半导体器件的总结与回顾半导体器件的分类半导体器件的应用半导体器件的发展半导体器件的未来二极管、三极管、电子设备、通信设趋势小型化、集展望新材料、新MOSFET等备、计算机等成化、智能化等工艺、新应用等对未来半导体器件发展的展望与预测技术发展趋势集成化、微型化、市场需求变化个性化、定制化、智能化环保节能添加标题添加标题添加标题添加标题应用领域拓展物联网、人工智能、产业政策支持政府加大对半导体5G通信产业的扶持力度,推动产业发展感谢您的观看汇报人PPT。