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硅外延生长本课程是关于硅外延生长的介绍,从定义、历史发展到应用领域,深入了解硅外延生长的原理和方法硅外延生长概述什么是硅外延生长?硅外延生长的历史发展硅外延生长的应用领域硅外延生长是一种通过在硅硅外延技术从二十世纪六十现代半导体类产品如计算机基底上沉积高品质单晶硅薄年代就开始发展,并随着半芯片、智能手机和光通信等膜的过程导体工业的高速发展一直得都需要硅外延生长技术到迅速发展硅外延生长的原理与方法硅外延生长的原理硅外延生长的方法硅外延生长是核形成、晶核的成长与自发畴界移动气相外延法•等复杂过程的综合表象液相外延法•气相外延法原理与流程1气相外延法是指以光刻胶为模板,在硅片上生长薄膜的方法SiGe工艺参数2气相外延生长的基本工艺参数有衬底温度、反应气体流量、反应时间和硅和外延材料供应速率应用3用于光子集成芯片、高分辨率图像传感器和生物传感器等领域液相外延法原理与流程1液相外延法是指用硅基底与融合锡(或石墨)作为液相反应体,在相应条件下长出外延晶体工艺参数2液相外延法的工艺参数有溶液成分,溶液温度,外延晶体生长速率和升温速率等应用3用于太阳能电池电极、太阳能电池背反射层、光子晶体、一维纳米线等领域硅外延生长中的关键问题晶体质量晶体缺陷其他问题123改善外延晶体质量是硅外硅外延生长晶体缺陷普遍包括杂质控制、单晶硅晶延生长技术需要解决的重存在,需要进一步的研究格离子注入、晶格应力控要问题,会直接影响到器和控制来规避制等等件的稳定性和性能硅外延生长的未来发展趋势硅外延生长技术将继续发展,主要趋势是提高生长效率和晶体质量发展方向晶体质量控制、研究新的衬底材料以及外延材料和外延工艺的不断创新未来展望硅外延生长技术将会在电子信息、新能源、生物医学等领域取得更广泛、更深入的应用。