还剩3页未读,继续阅读
文本内容:
电子科技高校二零零1至二零零学年其次学期期终考试模拟集成电路原理课程考试题A卷(120分钟)考试形式开卷考试日期200Z年月日课程成果构成平常坨分,期中9分,试验世分,期末他分选择题(共20题,每题2分,共40分).对于MOS管,当W/L保持不变时MOS管的跨导随过驱动电压的变化是(A)A.单调增加B.单调减小C.开口向上的抛物线D.开口向下的抛物线..关于衬底PNP下列说法不正确的是(B)A衬底PNP一般耐压较高.B衬底PNP•般共射电压增益较高.C衬底PNP一般简单实现大电流D衬底PNP不能采纳n+埋层..对于集中电阻,杂质的横向集中,会导致电阻值(C)A变小B不变C变大D可大可小..室温下,集中电阻阻值的温度系数为(A)A正B零C负,可正可负.对采纳N+作下极板的MOS电容,采纳以下哪种方法可•以提高MOS电容值与寄生电容值之比.(C)A增加MOS电容面积,B.减小MOS电容面积.C增加衬底的反向偏压.D减小衬底的反向偏压..在版图设计中,电学规章检查称为(B)A.EXTRACTB.ERCC.DRCD.LVS.随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会(D)A不断提高B.不变C.可大可小D.不断降低.对CMOSPTAT源,器件是工作在(D)A.饱和区和线性区B.都是饱和区C.线性区和亚阈区D.饱和区和亚阈区.下图示出的剖面图(C)A是纵向pnpB是纵向pnpA是横向pnpB是纵向pnpA是纵向pnp.B是横向pnpA是横向pnp.B是横向pnp.对于电流镜的要求,那种说法正确(C)A.输出阻抗高B输出阻抗低C沟通输出阻抗高D直流输出阻抗高.Cascode电流镜的最小输出电压Vmin(°ui)的值为(C)A.Von+VtnB.2(Von+Vtn)C.2Vqn+VtnD.Von+2Vtn.差分放大器差模电压增益为(B)A.-gmRcB.gmRcC.-2gmRcD.2gmRc.在下列防止CMOSIC中闩锁效应的方法中,(C)不行采纳A.让NMOS和PMOS在许可的范围尽可能远离;B.降低寄生NPN、PNP的C.增力口Rs、Rw;D.采纳深槽隔离.MOS共栅放大器的特点是(D)A.放大器输入输出反相,输入阻抗高B.放大器输入输出同相,输入阻抗高C.放大器输入输出反相,输入阻抗低D.放大器输入输出同相,输入阻抗低
15.在CMOS差分输入级中,下面的做法哪个对减小输入失调电压有利(A)A.减小有源负载管的宽长比.B.提高静态工作电流.C.减小差分对管的沟道长度和宽度D.提高器件的开启(阈值)电压
16.在E/DNMOS输出级中,常加入“零管”以降低功耗,此”零管将被设计为(AA.宽长比较大,阈值电压为0VB.宽长比较小,阈值电压为0VC.宽长比较大,阈值电压大于()VD.宽长比较小,阈值电压大于0V
17.CMOS推挽放大器NMOS管和PMOS管分别工作于(C).A.NMOS管工作于截止区和线性区;PMOS管工作于截止区和线性区NMOS管工作于饱和区和线性区;PMOS管工作于饱和区和线性区NMOS管工作于饱和区和截止区PMOS管工作于饱和区和截止区NMOS管工作于饱和区和线性区;PMOS管工作于截止区和线性区.在差分电路中,可采纳恒流源替换“长尾”电阻.这时要求替换“长尾”的恒流源的输出电阻(A)A.越高越好,B.越低越好C.没有要求D.可高可低.电阻的版图中,直角拐角处的电阻为(B)A.
0.25方B.
0.5方C.1方D.
1.5方.在版图设计上,采纳比例电阻和比例电容的设计可以(C)A.提高电阻或电容自身的肯定精度,B.提高电阻或电容自身的相对精度,C.减小电阻或电容间的比例误差D.无影响
21.差分对中,不影响其共模抑制比的因素为(C)A.差分管的对称性B.电流源的沟通阻抗C.输入电压幅度D.电阻Re」和Rcz的对称性二.简答题(共5题,每题4分,共20分)
(1)试用四层结构模型表示NPN晶体管.并说明其寄生晶体管及其影响.
(2)试分析MOS电容的寄生效应.Ff/uml击穿电压为
6.-I00V该电容具有很强的线性,而且温度系数很低但由于外延-衬底结的耗尽电容,在n型底片和衬底之间将产生一个相当大的寄生电容Ciso但这种寄生在许多应用中并不重要
(3)画出共源共栅放大器基本结构,简述其工作原理及特点.基本原理Ml为输入器件,M2为共源共栅器件,共源级Ml将输入电压信号Vin转换为电流信号g„Vin该电流信号流入M2漏端,从其源端输入到负载特点输出阻抗很高最大电压增益大约等于晶体管本征增益的平方电压余度减小输出摆幅屏蔽输入器件,使它不受输出结点电压变化的影响4运算放大器输入级的主要要求有哪些?要求低输入失调电流、低输入失调电压、低输入偏置电流、高输入阻抗、低输出阻抗、高共模输入电压范围5设计规章是依据什么制定的?什么是4设计规章?制定规章的依据考虑器件在正常工作条件下,依据实际工艺水平包括光刻特性、刻蚀力最、对准容差等和成品率要求给出的一组同一工艺层及不同工艺层之间几何尺寸的限制,主要包括线宽、间距、掩盖、露头、凹口、面积等规章,分别给出它们的最小值,以防止掩膜图形的断裂、连接和不良物理效应的消失%设计规章4设计规章是7年月末进展起来的一种设计规章,以无量纲的九为单位表示全部儿何尺寸的限制,X是工艺流水线所具有的工艺辨别率在制造掩膜版时,要赋给详细尺寸需通过对下述因数进行综合分析而定制版设施可实现的最细线条和最小线条间距的掩膜版;光刻设施的套刻精度;光刻可形成的最细线条和最小线条间距;刻蚀过程对尺寸的影响以及工艺过程中高温处理对硅片产生变形和对杂质分布的影响等等通常X等于栅长的一半,在版图设计中各种图形尺寸都是X的倍数三.10分对于下图的电流源,假如/初=匕g=0-7VV.=
0.026V/s=5x10-5A凤二200/=
13.7kQ6=700Q求⑴输出电流2输出电阻.用误差摸索法,可以得出Io=
0.97mARs是从T2的基极看进去的等效电阻式中心2QZo四.15分对如下电路结构,确定输出电流温度系数最小时,二极管的个数n和电阻R的值.假定齐纳管击穿电压为7VVbe=
0.7V输出电流为lOOpA电流镜Ml和M2面积比为2比1并且对于齐纳管t2=
2.5mV/=CdTiar对于电阻—=2000ppmfCppm二百万分之一对二极管及正偏pn结g^=-2mVrCdT为了使该电路温度系数最小,齐纳管电压和电阻的正温度系数与二极管PN结电压的负温度系数相等,由回路方程得到由于Vz=7VVbe=
0.7VImi=50gA则n10对该公式对温度求导则又则代入数据得“\1吟z\1HR令/〃=—:—〃+2-H%-〃+2%《dTRdT对该函数对n求导化简可得解该方程可得由于n小于10所以n=2则R=84ZQ五.15分下图电路被设计为W/Ll-4=50/
0.5pm且4s=2人=
0.5mA.1计算小信号电压增益2假如输入共模电平是
1.3V确定最大输出电压摆幅.--二三四五七八九十合计。