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超频内存时序详解与传统的SDRAM相比,DDR(DualdaterateSDRSM:双倍速率SDRAM)最重要的转变是在界面数据传输上,其在时钟信号提升缘与下降缘时各传输一次数据,这使得DDR的数据传输速率为传统SDRAM的两倍同样地,对于其标称的如DDR400DDR333DDR266数值,代表其工作频率其实仅为那些数值的一半,也就是说DDR400工作频率为200MHzFSB与内在频率的关系首先请大家看看FSB(FrontSideBus:前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系FSB/MEM比率实际运行频率1/1200MHz1/2100MHz2/3133MHz3/4150MHz3/05120MHz可选的设置Auto0032-4708其步进值非固定RefreshPeriodtREF表示〃刷新周期〃它指内存模块的刷新周期先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期单位微秒,即一百万分之一秒?号在这里表示该刷新周期尚无对应的精确数据1552=100mhz.s2064=133mhz.s2592=166mhz.s3120=200mhz.s3632=100mhz.s4128=133mhz.s4672=166mhz.s0064=200mhz.s0776=100mhz.s1032=133mhz.s1296=166mhz.s1560=200mhz.s1816=100mhz.s2064=133mhz.s2336=166mhz.s0032=200mhz.s0388=100mhz
15.6us0516=133mhz
15.6us0648=166mhz
15.6us0780=200mhz
15.6us0908=100mhz
7.8us1032=133mhz
7.8us1168=166mhz
7.8us0016=200mhz
7.8us1536=100mhz
3.9us2048=133mhz
3.9us2560=166mhz
3.9us3072=200mhz
3.9us3684=100mhz
1.95us4196=133mhz
1.95us4708=166mhz
1.95us0128=200mhz
1.95us假如采纳Aut选项,主板BIOS将会查询内存上的一个很小的、名为SPDSerialPresenceDetect的芯片SPD存储了内存条的各种相关工作参数等信息,系统会自动依据SPD中的数据中最保守的设置来确定内存的运行参数如过要追求最优的性能,则需手动设置刷新周期的参数一般说来,
15.6us适用于基于128兆位内存芯片的内存即单颗容量为16MB的内存而
7.8us适用于基于256兆位内存芯片的内存即单颗容量为32MB的内存X留意,假如tREF刷新周期设置不当,将会导致内存单元丢失其数据此外依据其他的资料显示,内存存储每一个bit都需要定期的刷新来充电不准时充电会导致数据的丢失DRAM实际上就是电容器,最小的存储单位是bito阵列中的每个bit都能被随机地访问但假如不充电,数据只能保存很短的时间因此我们必需每隔
15.6us就刷新一行每次刷新时数据就被重写一次正是这个缘由DRAM也被称为非永久性存储器一般通过同步的RAS-only的刷新方法行刷新,每行每行的依次刷新早期的EDO内存每刷新一行耗费
15.6us的时间因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为
15.6sx2048行二32mstREF和tRAS一样不是一个精确的数值通常
15.6us和
3.9us都能稳定运行
1.95us会降低内存带宽许多玩家发觉,假如内存质量优良,当tREF刷新周期设置为3120=200mhz.s时,会得到最佳的性能/稳定性比tWCL:WriteCASLatency可选的设置Auto1-8WriteCASLatencytWCL表示写指令到行地址掌握器延时SDRAM内存是随机访问的,这意味着内存掌握器可以把数据写入任意的物理地址,大多数状况下,数据通常写入距离当前列地址最近的页面tWCL表示写入的延迟,除了DDRII一般可以设为1T这个参数和大家熟识的tCLCAS-Latency是相对的,tCL表示读的延迟DRAMBankInterleave可选的设置EnableDisableDRAMBankInterleave表示DRAMBank交叉这个设置用来掌握是否启用内存交叉式interleave模式Interleave模式允许内存bank转变刷新和访问周期一个bank在刷新的同时另一个bank可能正在访问最近的试验表明,由于全部的内存bank的刷新周期都是交叉排列的,这样会产生一种流水线效应虽然interleave模式只有在不同bank提出连续的的寻址恳求时才会起作用,假如处于同一bank数据处理时和不开启interleave一样CPU必需等待第一个数据处理结束和内存bank的刷新,这样才能发送另一个地址目前全部的内存都支持interleave模式在可能的状况下我们建议打开此项功能Disable对将削减内存的带宽,但使系统更加稳定DQSSkewControl可选的设置AutozIncreaseSkewDecreaseSkewDQSSkewControl表示〃DQS时间差掌握〃稳定的电压可以使内存达到更高的频率,电压浮动会引起较大的时间差(skew),加强掌握力可以削减skew,但相应的DQS(数据掌握信号)提升和下降的边缘会消失电压过高或过低一个额外的问题是高频信号会引起追踪延迟DDR内存的解决方法是通过简洁数据选通脉冲来增加时钟推动DDRH引进了更先进的技术双向的微分I/O缓存器来组成DQSO微分表示用一个简洁脉冲信号和一个参考点来测量信号,而并非信号之间相互比较理论上提升和下降信号应是完全对成的,但事实并非如此时钟和数据的失谐就产生了DQ-DQSskewo同样地,设置为IncreaseSkew可以提升性能,而DecreaseSkew在牺牲肯定性能的状况下,可以增加稳定性DQSSkewValue可选的设置Auto0-255步进值为10当我们开启了DQSskewcontrol后,该选项用来设定增加或削减的数值值越大,表示速度越快DRAMDriveStrength可选的设置Auto1-8步进值为leDRAMDriveStrength(也被称为:drivingstrength)表示DRAM驱动强度”这个参数用来掌握内存数据总线的信号强度,数值越高代表信号强度越高,增加信号强度可以提超群频的稳定性但是并非信号强度高就肯定好,三星的TCCD内存芯片在低强度信号下性能更佳假如设为Auto系统通常会设定为一个较低的值对使用TCCD的芯片而言,表现会好一些但是其他的内存芯片就并非如此了,一般说来,
1、
3、
5、7都是性能较弱的参数,其中1是最弱的
2、
4、
6、8是正常的设置,8供应了最强的信号强度TCCD建议参数为
3、5或7其他芯片的内存建议设为6或8DRAMDataDriveStrength可选的设置Auto1-4步进值为1DRAMDataDriveStrength表示DRAM数据驱动强度这个参数打算内存数据总线的信号强度,数值越高代表信号强度越高它主要用于处理高负荷的内存读取时,增加DRAM的驾驭力量因此,假如你的系统内存的读取负荷很高,则应将该值设置为高Hi/Higho它有助于对内存数据总线超频但假如你并没有超频,提升内存数据线的信号强度,可以提超群频后速度的稳定性此外,提升内存数据总线的信号强度并不能增加SDRAMDIMM的性能因此除非你内存有很高的读取负荷或试图超频DIMM建议设置DRAMDataDriveStrength的值为低Lo/Low要处理大负荷的数据流时,需要提高内存的驾驭力量,你可以设为Hi或者High0超频时,调高此项参数可以提高稳定性此外,这个参数对内存性能几乎没什么影响所以除非超频,一般用户建议设为Lo/LoweIdleCycleLimit可选的设置Auto0-256无固定步进值IdleCycleLimit这个参数表示空闲周期限制”这个参数指定强制关闭一个也打开的内存页面之前的memclock数值,也就是读取一个内存页面之前,强制对该页面进行重充电操作所允许的最大时间BIOS中的该值设置为Auto时,实际上此时执行的是默认值2560质量好的内存可以尝试16-32IdleCycleLimit值越低越好DynamicCounter可选的设置AutoEnableDisableoDynamicCounter这个参数表示动态计数器这个参数指定开启还是关闭动态空闲周期计数器假如选择开启Enable则会每次进入内存页表PageTable就强制依据页面冲突和页面错误conflict/pagemiss:PC/PM之间通信量的比率而动态调整IdleCycleLimit的值这个参数和前一个IdleCycleLimit是亲密相关的,启用后会屏蔽掉当前的IdleCycleLimit并且依据冲突的发生来动态调整BIOS中的该值设置为Aut和关闭和一样的打开该设置可能会提升性能,而关闭该设置,可以使系统的更稳定R/WQueueBypass可选的设置Auto2x4x8x16xoR/WQueueBypass表示读/写队列忽视这个参数指定在优化器被重写及DQ设施掌握接口DeviceControlInterface最终一次的操作被选定前,忽视操作DCI的读/写队列的时间这个参数和前一个IdleCycleLimit是相类似,只是优化器影响内存中的读/写队列BypassMax可选的设置Aut,0x-7x步进值为LBypassMax表示最大忽视时间这个参数表示优化器选择拒绝之前,最终进入DCQDependenceChainQueue的可以被优化器忽视的时间BIOS中的该值默认为7x0建议4x或7x两者都供应了很好的性能及稳定性假如你的系统稳定,则保留该值但假如不稳定,或者要超频,就只有降低到8x甚至更低的4x或2xe该值越大,则说明系统性能越强,该值越小,则会是系统越稳定32ByteGranulation可选的设置:AutoDisable8burstEnable4burst032ByteGranulation表示32位颗粒化当该参数设置为关闭Disable时,就可以选择突发计数器,并在32位的数据存取的状况下,最优化数据总线带宽因此该参数关闭后可以达到最佳性能的目的绝大多数状况下,建议选择Disable8burst选项开启Enable4burst可以使系统更稳定一些5/6166MHz7/10140MHz9/10180MHz对于大多数玩家来说,FSB和内存同步,即1:1是使性能最佳的选择而其他的设置都是异步的同步后,内存的实际运行频率是FSBx2所以,DDR400的内存和200MHz的FSB正好同步假如你的FSB为240MHz,则同步后,内存的实际运行频率为240MHzx2=480MHzoFSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系剧烈建议采纳11的FSB与内存同步的设置,这样可以完全发挥内存带宽的优势内存时序设置内存参数的设置正确与否,将极大地影响系统的整体性能下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释,以求能让大家在内存参数设置中能有清楚的思路,提高电脑系统的性能涉及到的参数分别为:CPC:CommandPerClocktCL:CASLatencyControltRCD:RAStoCASDelaytRAS:MinRASActiveTimingtRP:RowPrechargeTimingtRC:RowCycleTimetRFC:RowRefreshCycleTimetRRD:RowtoRowDelayRAStoRASdelaytWR:WriteRecoveryTime……及其他参数的设置CPC:CommandPerClock可选的设置AutozEnablelTzDisable2ToCommandPerClockCPC:指令比率也有翻译为首命令延迟一般还被描述为DRAMCommandRate.CMDRate等由于目前的DDR内存的寻址冼要进行P-Bank的选择通过DIMM上CS片选信号进行,然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出详细的寻址的L-Bank/行激活命令,单位是时钟周期明显,CPC越短越好但当随着主板上内存模组的增多,掌握芯片组的负载也随之增加,过短的命令间隔可能会影响稳定性因此当你的内存插得许多而消失不太稳定的时间才需要将此参数调长目前的大部分主板都会自动设置这个参数该参数的默认值为Disable2T,假如玩家的内存质量很好,则可以将其设置为EnablelTotCL:CASLatencyControltCL可选的设置Auto
11.
522.
533.
544.5e一般我们在查阅内存的时序参数时,如3-4-4-8这一类的数字序列,上述数字序列分别对应的参数是CL-tRCD-tRP-tRAS这个3就是第1个参数,即CL参数CASLatencyControl也被描述为tCL、CL、CASLatencyTimesCASTimingDelayCASlatency是内存读写操作前列地址掌握器的埋伏时间:CAS掌握从接受一个指令到执行指令之间的时间由于CAS主要掌握十六进制的地址,或者说是内存矩阵中的列地址所以它是最为重要的参数,在稳定的前提下应尽可能设低内存是依据行和列寻址的,当恳求触发后,最初是tRASActivetoPrechargeDelay预充电后,内存才真正开头初始化RAS0一旦tRAS激活后,RASRowAddressStrobe开头进行需要数据的寻址首先是行地址,然后初始化tRCD周期结束,接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址期间从CAS开头到CAS结束就是CAS延迟所以CAS是找到数据的最终一个步骤,也是内存参数中最重要的这个参数掌握内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令同时该参数也打算了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数这个参数越小,则内存的速度越快必需留意部分内存不能运行在较低的延迟,可能会丢失数据,因此在提示大家把CAS延迟设为2或
2.5的同时,假如不稳定就只有进一步提高它了而且提高延迟能使内存运行在更高的频率,所以需要对内存超频时,应试着提高CAS延迟该参数对内存性能的影响最大,在保证系统稳定性的前提下,CAS值越低,则会导致更快的内存读写操作CL值为2为会获得最佳的性能,而CL值为3可以提高系统的稳定性留意,WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3tRCD:RAStoCASDelay可选的设置Auto01234567该值就是3-4-4-8内存时序参数中的第2个参数,即第1个4RAStoCASDelay也被描述为tRCD、RAStoCASDelay.ActivetoCMD表示行寻址到列寻址延迟时间数值越小,性能越好对内存进行读、写或刷新操作时,需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期在JEDEC法律规范中,它是排在其次的参数,降低此延时,可以提高系统性能建议该值设置为3或2但假如该值设置太低,同样会导致系统不稳定该值为4时,系统将处于最稳定的状态,而该值为5则太保守假如你的内存的超频性能不佳,则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值tRAS:MinRASActiveTiming可选的设置Auto00010203040506070809101112131415o该值就是该值就是3-4-4-8内存时序参数中的最终一个参数,即8OMinRASActiveTime也被描述为tRAS、ActivetoPrechargeDelay、RowActiveTime、PrechargeWaitState.RowActiveDelay、RowPrechargeDelayRASActiveTime表示内存行有效至预充电的最短周期,调整这个参数需要结合详细状况而定一般我们最好设在5-10之间这个参数要依据实际状况而定,并不是说越大或越小就越好假如tRAS的周期太长,系统会由于无谓的等待而降低性能降低tRAS周期,则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态假如tRAS的周期太短,则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输,这样会引发丢失数据或损坏数据该值一般设定为CASlatency+tRCD+2个时钟周期假如你的CASlatency的值为2tRCD的值为3则最佳的tRAS值应设置为7个时钟周期为提高系统性能,应尽可能降低tRAS的值,但假如发生内存错误或系统死机,则应增大tRAS的值tRP:RowPrechargeTimingtRP可选的设置Auto01234567该值就是3-4-4-8内存时序参数中的第3个参数,即第2个4RowPrechargeTiming也被描述为tRP、RASPrecharge.Prechargetoactive表示内存行地址掌握器预充电时间,预充电参数越小则内存读写速度就越快tRP用来设定在另一行能被激活之前,RAS需要的充电时间tRP参数设置太长会导致全部的行激活延迟过长,设为2可以削减预充电时间,从而更快地激活下一行然而,想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求,可能会造成行激活之前的数据丢失,内存掌握器不能顺当地完成读写操作对于桌面计算机来说,推举预充电参数的值设定为2个时钟周期,这是最佳的设置假如比此值低,则会由于每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期,这将影响DDR内存的读写性能,从而降低性能只有在tRP值为2而消失系统不稳定的状况下,将此值设定为3个时钟周期一般说来,tRP值建议2-5之间的值值为2将猎取最高的性能,该值为4将在超频时猎取最佳的稳定性,同样的而该值为5则太保守大部分内存都无法使用2的值,需要超频才可以达到该参数tRC:RowCycleTimetRC可选的设置Auto7-22步幅值loRowCycleTimetRCsRC表示SDRAM行周期时间,它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数其计算公式是rowcycletimetRC=minimumrowactivetimetRAS+rowprechargetimetRP0因此,设置该参数之前你应明白你的tRAS值和tRP值是多少假如tRC的时间过长会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时,而降低性能然后一旦该值设置过小,在被激活的行单元被充分充电之前,新的周期就可以被初始化在这种状况下,仍会导致数据丢失和损坏因此,最好依据tRC=tRAS+tRP进行设置,假如你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期,而tRP的值为4个时钟周期则抱负的tRC的值应设置为11个时钟周期tRFC:RowRefreshCycleTime可选的设置Auto9-24步幅值loRowRefreshCycleTimetRFC.RFC表示SDRAM行刷新周期时间,它是行单元刷新所需要的时钟周期数该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令即REF指令之间的时间间隔tRFC值越小越好,它比tRC的值要稍高一些通常tRFC的值不能达到9而10为最佳设置,17-19是内存超频建议值建议从17开头依次递减来测试该值大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期tRRD:RowtoRowDelayRAStoRASdelay可选的设置Auto0-7每级以1的步幅递增RowtoRowDelay也被称为RAStoRASdelaytRRD表示行单元到行单元的延时该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令即REF指令之间的时间间隔tRRD值越小越好延迟越低,表示下一个bank能更快地被激活,进行读写操作然而,由于需要肯定量的数据,太短的延迟会引起连续数据膨胀于桌面计算机来说,推举tRRD值设定为2个时钟周期,这是最佳的设置,此时的数据膨胀可以忽视假如比此值低,则会由于每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期,这将影响DDR内存的读写性能,从而降低性能只有在tRRD值为2而消失系统不稳定的状况下,将此值设定为3个时钟周期tWR:WriteRecoveryTime可选的设置Auto230WriteRecoveryTimetWD表示“写恢复延时该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前,必需等待多少个时钟周期这段必需的时钟周期用来确保在预充电发生前,写缓冲中的数据可以被写进内存单元中同样的,过低的tWD虽然提高了系统性能,但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中,就发生了预充电操作,会导致数据的丢失及损坏假如你使用的是DDR200和266的内存,建议将tWR值设为2;假如使用DDR333或DDR400则将tWD值设为30tWTR:WritetoReadDelay可选的设置:Auto120WritetoReadDelaytWTR表示“读到写延时三星公司称其为TCDLRlastdataintoreadcommand”即最终的数据进入读指令它设定向DDR内存模块中的同一个单元中,在最终一次有效的写操作和下一次读操作之间必需等待的时钟周期tWTR值为2在高时钟频率的状况下,降低了读性能,但提高了系统稳定性这种状况下,也使得内存芯片运行于高速度下换句话说,增加tWTR值,可以让内容模块运行于IztM默认速度更快的速度下假如使用DDR266或DDR333,则将tWTR值设为1;假如使用DDR400则也可试着将tWTR的值设为1,假如系统不稳定,则改为20tREF:RefreshPeriod。