文本内容:
讨论的标准项目序号计划文号及编号项目名称主编单位备注第一组1国标委发[2021]41号-T-469高纯钱有研国晶辉新材料有限公司讨论2国标委发[202“23号-T-469碳化硅晶体材料缺陷图谱东莞市天域半导体科技有限公司讨论3国标委发1202“23号-T-469蓝宝石图形化衬底片广东中图半导体科技股份有限公司讨论4国标委发[2021]41号-T-469半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分缺陷分类中国电子科技集团公司第十三研究所讨论5国标委发[2021]41号-T-469半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测以别判据第2部分缺陷的光学检测方法中国电子科技集团公司第十三研究所讨论6国标委发[2021]41号-T-469半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分缺陷的光致发光检测方法中国电子科技集团公司第十三研究所讨论第二组7国标委发[2021]41号・T・469硅中代位碳含量的红外吸收测试方法中国电子科技集团公司第四十六研究所讨论8国标委发[202IJ41号-T-469半导体晶片近边缘几何形态评价第1部分高度径向二阶导数法ZDD山东有研半导体材料有限公司讨论9国标委发[2022]17号-T-469埋层硅外延片南京国盛电子有限公司讨论10工信厅科函[202291号2021-1758T-YS二氧化碳排放核算与报告要求多晶硅企业中国恩菲工程技术有限公司讨论11工信厅科函[202291号2021-1759T-YS多晶硅企业能源管理中心技术规范新特能源股份有限公司讨论12工信厅科函[202”291号2021-1760T-YS多晶硅行业能源管理体系实施指南新特能源股份有限公司讨论。